[发明专利]用于EUV光刻的表膜

说明书

一种用于制造用于EVU光刻的表膜的方法，所述方法包括：将牺牲层沉积到衬底上；蚀刻掉所述衬底的部分，以暴露所述牺牲层的部分；将芯层沉积到所述牺牲层上，所述芯层在制造后形成所述表膜的隔膜的芯部分；以及蚀刻掉所述牺牲层的部分，以暴露所述芯层的部分；其中所述芯层在所述衬底的所述蚀刻之后被沉积。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年4月12日提交的EP申请19168871.2的优先权，其通过引用全部并入本文。

技术领域

本发明涉及一种表膜、用于制造表膜的方法、用于EUV光刻的图案形成装置组件和动态气锁组件。

背景技术

光刻设备是将期望图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。在该实例中，图案形成装置(备选地被称为掩模或掩模版)可以被用于生成要被形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括部分管芯、一个或多个管芯)上。图案的转印通常经由成像到在衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。

光刻被广泛地识别为制造IC和其他装置和/或结构的关键步骤中的一个步骤。然而，随着使用光刻制造的特征尺寸变得更小，光刻正在成为使得微型IC或其他装置和/或结构能够被制造的更关键因素。

图案印刷限制的理论估计可以由等式(1)所示的分辨率的瑞利准则给出：

其中λ是所使用的辐射的波长，NA是用于印刷图案的投影系统的数值孔径，k1是与过程相关的调整因子，也称为瑞利常数，并且CD是印刷特征的特征尺寸(或临界尺寸)。从等式(1)推断出，特征的最小可印刷尺寸的减小可以通过三种方式获得：通过缩短曝光波长λ、通过增加数值孔径NA或通过减小k1的值。

为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在10至20nm范围内的电磁辐射，例如在13至14nm范围内。还提出波长小于10nm的EUV辐射可以被使用，例如在5至10nm的范围内，诸如6.7nm或6.8nm。这种辐射被称为极紫外辐射或软x射线辐射。可能的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步辐射的源。

光刻装置包括图案形成装置(例如掩模或掩模版)。辐射通过图案形成装置提供或从图案形成装置反射，以在衬底上形成图像。表膜可以被提供，以保护图案形成装置免受空气传播的颗粒和其他形式的污染。用于保护图案形成装置的表膜可以被称为表膜。图案形成装置的表面上的污染可能会导致衬底上的制造缺陷。表膜可以包括框架和跨框架伸展的隔膜。

在表膜的制造期间，不期望地减少EUV辐射透射的一些材料可能会保持沉积在隔膜上。隔膜还可以具有被形成得比期望更薄的区域，从而不期望地增加隔膜破裂的可能性。

期望提供具有隔膜的表膜，该隔膜对于EUV辐射更稳定和/或更具透射性。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种用于制造用于EUV光刻的表膜的方法，该方法包括：将牺牲层沉积到衬底上；蚀刻掉衬底的部分，以暴露牺牲层的部分；将芯层沉积到牺牲层上，该芯层在制造后形成表膜的隔膜的芯部分；以及蚀刻掉牺牲层的部分，以暴露芯层的部分；其中芯层在衬底的蚀刻之后被沉积。

根据本发明的一个方面，提供了一种用于EUV光刻的表膜，该表膜包括：隔膜，包括芯层；由部分蚀刻的衬底形成的框架；以及在芯层与衬底之间的牺牲层，其中表膜通过以下操作制造：将牺牲层沉积到衬底上；蚀刻掉衬底的部分，以暴露牺牲层的部分；将芯层沉积到牺牲层上；以及蚀刻掉牺牲层的部分，以暴露芯层的部分；其中芯层在衬底的蚀刻之后沉积。

附图说明