[发明专利]用于保持预处理浴的系统和方法

权利要求书

1.一种用于保持预处理浴的系统，所述系统包括：

水性还原剂，所述水性还原剂包括金属阳离子和潜在的硫酸盐来源，所述金属阳离子和所述潜在的硫酸盐来源在与所述预处理浴中的污染物反应时形成金属硫酸盐；

其中所述污染物包括亚硝酸盐来源；并且

其中所述金属硫酸盐在25℃的温度下的pKsp为4.5到11。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述金属阳离子包括钙、锶、钡、镭、铅(II)和/或银(I)的阳离子。

3.根据权利要求1所述的系统，所述还原剂进一步包括能够与所述金属阳离子形成盐的阴离子。

4.根据权利要求3所述的系统，其中所述阴离子包括氢氧化物、碳酸盐或其组合。

5.根据权利要求1所述的系统，其中所述还原剂的pH小于7。

6.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括预处理组合物，所述预处理组合物包括IVB族金属。

7.根据权利要求6所述的系统，其中所述IVB族金属包括锆。

8.根据权利要求6所述的系统，其中所述预处理组合物进一步包括游离氟离子、电正性金属和/或粘合剂。

9.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括pH调节剂。

10.一种基材，其用由根据权利要求1所述的系统保持的预处理浴处理。

11.根据权利要求10所述的基材，其中与在用未由根据权利要求1所述的系统保持的预处理浴处理的基材的表面上形成的膜相比，在所述基材的表面上形成的膜的锆涂层重量增加了至少33％。

12.一种用于保持预处理浴的方法，所述预处理浴含有包括IVB族金属的预处理组合物，所述方法包括：

向所述预处理浴供应足以将所述预处理浴的污染比降低到小于1:1的量的水性还原剂；

其中所述还原剂包括金属阳离子和潜在的硫酸盐来源，所述金属阳离子和所述潜在的硫酸盐来源在与所述预处理浴中的污染物反应时形成金属硫酸盐；

其中所述污染物包括亚硝酸盐来源；并且

其中所述金属硫酸盐在25℃的温度下的pKsp为4.5到11。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述金属阳离子包括钙、锶、钡、镭、铅(II)和/或银(I)的阳离子。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述还原剂进一步包括能够与所述金属阳离子形成盐的阴离子。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述阴离子包括氢氧化物、碳酸盐或其组合。

16.根据权利要求12所述的方法，其中所述还原剂的pH小于7。

17.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括向所述预处理浴供应pH调节剂。

18.根据权利要求12所述的方法，其中在供应所述还原剂之前，所述预处理浴的所述污染比大于1:1。

19.根据权利要求12所述的方法，其中所述还原剂以足以使所述预处理浴基本上不含亚硝酸盐的量供应到所述预处理浴。

20.根据权利要求12所述的方法，其中所述还原剂以足以使所述预处理浴完全不含亚硝酸盐的量供应到所述预处理浴。