[发明专利]气相成长装置及用于该气相成长装置的载具

说明书

载具(C)形成为具有载置于基座(112)的上表面的底面(C11)、接触晶圆(WF)的背面的外边缘来支承的上表面(C12)、外周侧壁面(C13)、内周侧壁面(C14)的环状，在基座(112)、或基座(112)及载具(C)处，设置有将被晶圆(WF)、载具(C)及基座(112)间隔的空间和基座(112)的背面之间贯通的气体排出孔(1121，1122，C15)。

技术领域

本发明涉及用于外延晶圆的制造等的气相成长装置及用于该气相成长装置的载具。

背景技术

在用于外延晶圆的制造等的气相成长装置中，为使对硅晶圆背面的损伤为最小限度，提出在将硅晶圆搭载于环状的载具的状态下在从装载锁定室至反应室的工序中搬运的方案(专利文献1)。

这种气相成长装置中，在装载锁定室中待机的环状的载具搭载处理前的晶圆来向反应室搬运，另一方面，处理后的晶圆在搭载于环状的载具的状态下被从反应室向装载锁定室搬运。

专利文献1 : 美国专利申请公开2017/0110352号公报。

反应室中将搭载有晶圆的状态的环状载具载置于基座，在该状态下进行外延成长等的处理。然而，上述现有技术中，在反应室中，被晶圆、环状载具及基座间隔的空间被大致密闭，所以将搭载有晶圆的状态的环状载具载置于基座上时，有晶圆滑动而位置偏离的可能。

此外，反应处理中，若反应气体从晶圆和环状载具的接触部分的些许间隙向上述密闭空间流入，则反应膜在晶圆的背面的外周堆积，这对晶圆的平坦度造成影响，所以需要尽可能使反应气体朝向晶圆的背面的流动均匀。

发明内容

本发明所要解决的问题是，提供防止将搭载有晶圆的载具载置于基座时的晶圆的滑动且能够使反应气体向晶圆背面的流动均匀的气相成长装置及用于该气相成长装置的载具。

本发明是一种气相成长装置，具备支承晶圆的外边缘(包括端部或外周部的范围，以下在本说明书中相同。)的环状的载具，使用多个该载具，将多个处理前的晶圆向至少在前述晶圆上形成CVD膜的反应室顺次搬运，并且在前述反应室设置有支承前述载具的基座，其特征在于，前述载具形成为具有底面、上表面、外周侧壁面、内周侧壁面的环状，前述底面被载置于前述基座的上表面，前述上表面接触前述晶圆的背面的外边缘来支承，在前述基座、或前述基座及前述载具处，设置有将被前述晶圆、前述载具及前述基座间隔的空间和前述基座的背面之间贯通的气体排出孔。

在本发明中，更优选为，使用前述多个载具将多个处理前的晶圆经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向前述反应室顺次搬运，并且将多个处理后的晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室向前述工厂接口顺次搬运，前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通，并且经由第2门与前述晶圆移载室连通，前述晶圆移载室经由闸门阀与前述反应室连通，在前述晶圆移载室设置有第1机器人，前述第1机器人将被向前述装载锁定室搬运来的处理前的晶圆在搭载于载具的状态下投入前述反应室，并且将在前述反应室处结束处理的处理后的晶圆在搭载于载具的状态下从前述反应室取出，搬运至前述装载锁定室，在前述工厂接口设置有第2机器人，前述第2机器人将处理前的晶圆从晶圆收纳容器取出，搭载于在前述装载锁定室待机的载具，并且将被向前述装载锁定室搬运来的搭载于载具的处理后的晶圆收纳至前述晶圆收纳容器，在前述装载锁定室处设置有支承载具的架。

在本发明中，更优选为，前述气体排出孔仅设置于前述基座，被设置成将前述基座及前述载具贯通。

在本发明中，更优选为，前述气体排出孔被设置成将前述基座及前述载具贯通的情况下，构成为，形成于前述基座的气体排出孔和形成于前述载具的气体排出孔的直径不同。该情况下，形成于前述基座的气体排出孔的直径可以比形成于前述载具的气体排出孔的直径大，也可以比形成于前述载具的气体排出孔的直径小。