[发明专利]含有酯基的酸二酐衍生物的制造方法

说明书

本发明的目的在于，提供能够避免对半导体元件造成不良影响的杂质，并且由廉价且环境卫生上的问题少的原料在工业上能够利用的反应温度下短时间内有效地得到含有酯基的酸二酐衍生物的制造方法，提供通式(4)所示的含有酯基的酸二酐衍生物的制造方法，其特征在于，使通式(1)所示的芳香族二醇的低级链烷酸酯和式(3)所示的偏苯三酸酐在胺化合物的存在下、在有机溶剂中反应。

技术领域

本发明涉及作为聚酯酰亚胺树脂等的原料有用的后述的通式(4)所示的含有酯基的酸二酐衍生物的制造方法。

背景技术

含有酯基的酸二酐衍生物作为聚酯酰亚胺等耐热性树脂的原料、环氧树脂等的固化剂、或树脂改性剂是有用的，作为面向电气-电子领域的材料使用。作为制造它们的方法，例如已知有如下方法：(i)在苯、甲苯等有机溶剂中，利用偏苯三酸酐氯化物和二醇类的反应的方法(例如参照专利文献1)；或者，在偏苯三酸酐和二醇类的低级链烷酸酯的酯交换反应中，(ii)通过在特定的溶剂的存在下在280℃的高温范围进行加热来进行的方法(例如参照专利文献2)或(iii)在二氧化硅·氧化铝系化合物、碱金属化合物等无机化合物系催化剂的存在下进行的方法(例如参照专利文献3)和(iv)在磷鎓盐等相转移催化剂的存在下进行的方法(例如参照专利文献4)等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特公昭43-5911号公报

专利文献2：日本特开平10-147582号公报

专利文献3：日本特开平7-41472号公报

专利文献4：日本特开2006-206486号公报

非专利文献

非专利文献1：东芝review Vol.51No.8p.58-61 2000年

发明内容

发明要解决的问题

前述背景技术(i)中公开的方法中，必须使用昂贵且环境卫生上难以处理的偏苯三酸酐氯化物。(ii)中公开的方法中，存在反应需要工业上困难的高温的问题。利用(iii)中公开的方法时，难以去除所使用的无机化合物系催化剂，容易成为所得到的含有酯基的酸二酐衍生物的杂质。另外，利用(iv)中公开的方法时，反应4小时时刻的反应率不能令人满意、为80～86％，进而使用磷鎓盐，因此在所得到的含有酯基的酸二酐衍生物中有可能残留磷。特别是若在面向半导体的材料中残留源自无机化合物系催化剂的碱金属、铝、源自相转移催化剂的磷，则在半导体元件中产生氧化膜耐压不良、p反向不良、n反向不良，对于产品的成品率、可靠性造成不良影响(例如参照非专利文献1)。本发明提供在工业上能够利用的反应温度下短时间内有效地反应的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明人等鉴于上述问题而反复深入研究，结果发现，通过使芳香族二醇的低级链烷酸酯和偏苯三酸酐在胺化合物的存在下、在溶剂中进行酯交换反应，能够有效地制造作为聚酯酰亚胺树脂等的原料有用的通式(4)所示的含有酯基的酸二酐衍生物，从而完成了本发明。

即，本发明如以下所述。

[1]涉及下述通式(4)所示的化合物的制造方法，其特征在于，使下述通式(1)所示的芳香族二醇的低级链烷酸酯和式(3)所示的偏苯三酸酐在胺化合物的存在下、在有机溶剂中反应，

通式(1)中，Ar表示选自下述式(2)：

所示的组中的2价芳香族基团，

R₁、R₂相同或不同，表示碳数1～3的烷基，