[发明专利]用于器件制造过程的方法在审
申请号: | 202080029676.7 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN113711129A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | M·豪普特曼;A·B·伊斯梅尔;R·拉赫曼;李嘉鹏 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G05B19/418;H01L21/66 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张启程 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 器件 制造 过程 方法 | ||
披露了一种用于产生用于器件制造过程的采样方案的方法,所述方法包括:获得多个处理后的衬底的测量数据时间序列;转换所述测量数据时间序列以获得频域数据;使用所述频域数据来确定时间采样方案;基于根据所述时间采样方案在衬底上所执行的测量来确定由所述时间采样方案所引入的误差偏移;以及确定改进后的时间采样方案以补偿所述误差偏移。
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年4月17日提交的欧洲申请19169933.9、2019年4月29日提交的欧洲申请19171535.8和2019年11月18日提交的欧洲申请19209638.6的优先权,并且这些欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本发明涉及产生控制方案和使用所述控制方案的器件制造。
背景技术
光刻设备是将期望图案施加到衬底上的机器,通常施加到衬底的目标部分上。例如,可以在集成电路(IC)的制造中使用光刻设备。在该实例中,可选地被称为掩模或掩模版的图案形成装置可用于产生待在IC的单个层上形成的电路图案。此图案可以被转印到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括管芯的一部分、一个管芯,或若干个管芯)。所述图案的转印通常经由成像到被设置于所述衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行。通常,单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。然后显影所述经图案化的辐射敏感层,并且使用诸如蚀刻器之类的过程设备将所述经图案化的辐射敏感层固定在所述衬底中。
为创建电子器件,必需多次重复曝光和固定步骤,例如多达30次,以创建器件的不同层。每一层一次性被应用于一批量(也称为一批次)衬底。为了改进产率,即产生功能的器件的比例,已知使用在衬底上所执行的测量来调整同一批次或应用相同过程的后续批次中后续衬底的曝光,例如以减少重叠、焦距或CD中的误差。此过程被称为自动化过程控制。在多个衬底的测量可用的情况下,所述测量的结果的加权后的移动平均值通常被用作所述过程控制的输入。
虽然APC改善了产率,但对控制回路提供必要输入的测量(通常称为量测)非常耗时。因此,必需在生产量与产率之间折衷,或者提供额外的量测工具,这些工具非常昂贵。确定最优量测和控制策略是困难的,且通常必须通过反复试验来完成。也期望对所述控制回路的有效性的改进。
发明内容
本发明旨在提供用于光刻制造过程的改进的自动化过程控制方法。
本发明在第一方面中提供了一种用于产生用于器件制造过程的控制方案的方法,所述方法包括:获得已在其上执行了曝光步骤和可选地处理步骤的多个衬底的测量数据时间序列;转换所述测量数据时间序列以获得频域数据;以及使用所述频域数据来确定待在后续衬底上执行的控制方案。
本发明在第二方面提供了一种器件制造过程,包括:使用光刻设备对初始组衬底进行曝光;可选地对所述初始组衬底执行过程步骤;测量多个所述初始组衬底的参数,以获得测量数据时间序列;转换所述测量数据时间序列以获得频域数据;使用所述频域数据确定待在后续衬底上执行的控制方案;以及使用所述控制方案曝光后续衬底。
本发明在第三方面中提供了一种用于产生用于器件制造过程的采样方案的方法,所述方法包括:获得多个处理后的衬底的测量数据时间序列;转换所述测量数据时间序列以获得频域数据;使用所述频域数据来确定时间采样方案;基于根据所述时间采样方案在衬底上执行的测量,确定由所述时间采样方案引入的误差偏移;以及确定改进的时间采样方案以补偿所述误差偏移。
附图说明
现在将参考附图以示例的方式描述本发明的实施例,附图中:
图1描绘了一种光刻设备以及形成用于半导体器件的生产设施的其它设备;
图2描绘了根据本发明实施例的自动化过程控制方法;
图3描绘了根据本发明实施例的自动过程控制方法的操作原理;
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