[发明专利]黑色光伏器件

权利要求书

1.光伏器件(1)，其包含：

-导电正面接触层(5)；

-导电背面接触层(13)，所述背面接触层(13)意图比所述正面接触层(5)更远离入射光源；

-基于半导体的PIN结(7、9、11)，其包含夹在P型掺杂半导体层(7；11)和N型掺杂半导体层(11；7)之间的基本非晶的本征硅层(9)，

其特征在于最靠近所述背面接触层(13)的所述PIN结的层(11)是包含至少2摩尔％锗的硅-锗合金层。

2.根据权利要求1的光伏器件(1)，其中所述硅-锗合金包含至少10摩尔％锗，更优选15％至25％锗，更优选基本20％锗。

3.根据前述权利要求任一项的光伏器件(1)，其进一步包含位于所述正面接触层(5)的光入射侧的减反射层(19)。

4.根据权利要求3的光伏器件(1)，其中所述减反射层(19)表现出低于所述正面接触层(5)的折射率的折射率。

5.根据前述权利要求任一项的光伏器件(1)，其中面向正面接触层(5)的硅-锗合金层(11)的表面具有至少10nm的rms粗糙度。

6.根据前述权利要求任一项的光伏器件(1)，其进一步包含位于所述正面接触层(5)的光入射侧的基本透明基底(3)。

7.根据权利要求6的光伏器件(1)，其进一步包含布置在所述基本透明基底的正面侧的减反射涂层(17)，所述减反射涂层(17)优选表现出低于所述基底(3)的折射率的折射率。

8.根据权利要求5和6之一的光伏器件(1)，其中所述正面接触层(5)包含氧化锌和/或氧化锡。

9.根据权利要求1-5之一的光伏器件(1)，其进一步包含布置在背向所述背面接触层(13)的光入射侧的所述背面接触层(13)的表面上的基底(15)。

10.根据前述权利要求的光伏器件(1)，其中所述背面接触层(13)包含氧化锌和/或氧化锡。

11.根据前述权利要求任一项的光伏器件(1)，其中除基于硅-锗合金的层(11)外的PIN结的层(7、9)基于非晶硅。

12.包含根据前述权利要求任一项的光伏器件(1)的钟表(21)。

13.根据权利要求12的钟表(1)，其中所述光伏器件(1)形成所述钟表(21)所含的表盘(23)或表圈(25)的至少一部分。

14.制造根据前述权利要求任一项的光伏器件(1)的方法，其中所述硅-锗层(11)通过13.56MHz等离子体激发频率、15mm电极间距、45x 55cm电极表面尺寸的反应器在下列条件下的等离子体辅助化学气相沉积法沉积：

-硅烷流量30-50sccm；

-锗烷流量6-10sccm；

-氢气流量1200-1500sccm

-磷杂环戊二烯流量0.5-1.5sccm或二硼烷流量0.5-1.5sccm

-压力3.0-3.5毫巴；

-等离子体功率100-150W。