[发明专利]预充电电路和具有该预充电电路的电池系统

说明书

本发明涉及一种预充电电路和具有该预充电电路的电池系统。本发明的电池系统包括：电池组，其包括多个电池电芯；预充电继电器，其包括串联连接在所述电池组的一个电极和输出端子之间的第一MOSFET和第二MOSFET、与所述第一MOSFET并联连接的第三MOSFET、以及与所述第二MOSFET并联连接的第四MOSFET；以及BMS，其被配置为产生用于控制继电器的导通/断开的选通电压。

技术领域

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年10月21日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0130846的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文中。

本发明涉及一种预充电电路和包括该预充电电路的电池系统。

背景技术

近来，随着对便携式电子产品(如，膝上型电脑和便携式电话)的需求增加，已经积极进行对高性能可再充电电池的研究，并且已正式开始对诸如HEV(混合电动车辆)和PEV(纯电动车辆)的电动车辆、机器人、卫星等的开发。

作为可再充电电池，各种可再充电电池(例如，镍镉电池和镍氢电池)是商业上可获得的，但是自由充电和放电并且具有低自放电率和高能量密度的锂可再充电电池正受到关注。可再充电电池通常以多个可再充电电池串联和/或并联连接的电池组状态使用，从而提供高电压和大容量电力存储装置。

主继电器可以使用预定电信号来控制电池组和外部装置(例如，负载或充电器)之间的电连接。在许多情况下，主继电器由于在电池组和外部装置连接的初始驱动期间发生的过电流(浪涌电流)而损坏，并且预充电继电器与主继电器并联使用以防止这种损坏。

另外，在使用诸如金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)的半导体开关元件来配置继电器的情况下，当接收到驱动信号时，必须将继电器切换到预定状态。然而，由于诸如生产工艺和存储条件的各种原因，在本领域中使用的MOSFET通常不满足标准击穿电压和瞬时容许电流的规格。超出标准击穿电压和瞬时容许电流的规格的MOSFET将不能在电路内正常工作。

例如，存在预充电继电器所需的预充电标准击穿电压和预充电瞬时容许电流，并且考虑到这一点，预充电继电器可以配置有多个MOSFET。MOSFET的实际性能可能不符合标准击穿电压和瞬时容许电流的已知规格。在实际的开/关控制中，指出MOSFET存在问题，因为它不能承受预充电标准击穿电压和预充电瞬时容许电流，并且存在瞬时冲击的可能性。

发明内容

技术问题

本发明致力于提供一种引起瞬态冲击的可能性低的预充电电路以及包括该预充电电路的电池系统。

技术方案

本发明的示例性实施方式提供了一种预充电电路，包括：串联连接在电池组的第一电极及其输出端子之间的第一MOSFET和第二MOSFET；与所述第一MOSFET并联连接的第三MOSFET；以及与所述第二MOSFET并联连接的第四MOSFET。

所述预充电电路可以进一步包括：第一电阻器，其与所述第一MOSFET的第一端和所述第三MOSFET的第一端以及所述第一MOSFET的第二端和所述第三MOSFET的第二端并联连接；以及第二电阻器，其与所述第二MOSFET的第一端和所述第四MOSFET的第一端以及所述第二MOSFET的第二端和所述第四MOSFET的第二端并联连接。

第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET可以被形成为P型MOSFET。

第一MOSFET的漏极端子可以与第二MOSFET的源极端子串联连接，第三MOSFET的漏极端子可以与第一MOSFET的漏极端子并联连接，并且第四MOSFET的源极端子可以与第二MOSFET的源极端子并联连接。