[发明专利]反射型掩模坯料、反射型掩模、以及反射型掩模及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种反射型掩模坯料，其具备：基板、该基板上的多层反射膜、以及该多层反射膜上的吸收体膜，

所述吸收体膜包含吸收层及反射率调整层，

所述吸收层含有钽(Ta)、硼(B)及氮(N)，并且含有选自氢(H)及氘(D)中的至少1种添加元素，

所述吸收层的所述硼(B)的含量超过5原子％，

所述吸收层的所述添加元素的含量为0.1原子％以上且30原子％以下。

2.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中，

所述反射率调整层含有钽(Ta)及氧(O)，并且含有选自氢(H)及氘(D)中的至少1种添加元素。

3.根据权利要求1或2所述的反射型掩模坯料，其中，

所述反射率调整层进一步含有硼(B)，所述硼(B)的含量超过5原子％。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的反射型掩模坯料，其中，

所述吸收层包含下表面区域和上表面区域，所述下表面区域包含所述基板侧的表面，所述上表面区域包含与所述基板相反侧的表面，

所述下表面区域的所述添加元素的浓度(原子％)高于所述上表面区域的所述添加元素的浓度(原子％)。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的反射型掩模坯料，其中，

所述吸收层包含下表面区域和上表面区域，所述下表面区域包含所述基板侧的表面，所述上表面区域包含与所述基板相反侧的表面，

所述上表面区域的所述添加元素的浓度(原子％)高于所述下表面区域的所述添加元素的浓度(原子％)。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的反射型掩模坯料，其中，

在所述多层反射膜与所述吸收体膜之间包含保护膜，

所述保护膜含有钌(Ru)、和选自氢(H)及氘(D)中的至少1种添加元素。

7.一种反射型掩模，其具有对权利要求1～6中任一项所述的反射型掩模坯料中的所述吸收体膜进行图案化而得到的吸收体图案。

8.一种反射型掩模的制造方法，该方法包括：

对权利要求1～6中任一项所述的反射型掩模坯料的所述吸收体膜进行图案化而形成吸收体图案。

9.一种半导体装置的制造方法，该方法包括：

在具有发出EUV光的曝光光源的曝光装置中设置权利要求7所述的反射型掩模，将转印图案转印至形成于被转印基板上的抗蚀膜的工序。