[发明专利]静电卡盘

说明书

静电卡盘具备陶瓷基材、陶瓷电介质层、静电电极和陶瓷绝缘层。陶瓷电介质层配置在陶瓷基材上，比陶瓷基材薄。静电电极埋设在陶瓷电介质层与陶瓷基材之间。陶瓷绝缘层配置在陶瓷电介质层上，比陶瓷电介质层薄。陶瓷绝缘层的体积电阻率及耐电压比所述陶瓷电介质层高，陶瓷电介质层的介电常数比陶瓷绝缘层高。

技术领域

本发明涉及静电卡盘。

背景技术

以往，在半导体晶片的传送、曝光、CVD等成膜工艺、清洗、蚀刻、切割等微细加工中，使用吸附保持晶片的静电卡盘。例如，专利文献1所公开的静电卡盘具有：陶瓷基材、配置在陶瓷基材上的薄的陶瓷电介质层、以及埋设在陶瓷电介质层与陶瓷基材之间的静电电极(参照图4)。陶瓷电介质层的表面为晶片载置面。在该静电卡盘中，陶瓷基材的材质和陶瓷电介质层的材质均为氧化铝烧结体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-343733号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，由于陶瓷电介质层的材质为氧化铝烧结体，因此虽然绝缘性能(体积电阻率、耐电压)高，但介电常数没有那么高。因此，有时无法充分得到将晶片吸附于晶片载置面时的静电吸附力。

本发明是为了解决这样的课题而完成的，其主要目的在于提供一种绝缘性能和静电吸附力都高的静电卡盘。

用于解决课题的方案

本发明的静电卡盘具备：

陶瓷基材；

陶瓷电介质层，其配置在所述陶瓷基材上并比所述陶瓷基材薄；

静电电极，其埋设在所述陶瓷电介质层与所述陶瓷基材之间；以及

陶瓷绝缘层，其配置在所述陶瓷电介质层上并比所述陶瓷电介质层薄，

所述陶瓷绝缘层的体积电阻率及耐电压比所述陶瓷电介质层高，

所述陶瓷电介质层的介电常数比所述陶瓷绝缘层高。

在该静电卡盘中，由于陶瓷绝缘层的体积电阻率及耐电压比陶瓷电介质层高，因此绝缘性能由于该陶瓷绝缘层而被保持得高。另一方面，由于陶瓷电介质层的介电常数比陶瓷绝缘层高，因此与介电常数成比例地变高的静电吸附力由于陶瓷电介质层而变高。这样，本发明的静电卡盘的绝缘性能和静电吸附力都高。

在本发明的静电卡盘中，所述陶瓷绝缘层也可以是气溶胶沉积(AD)膜或喷镀膜。特别优选陶瓷绝缘层为AD膜。AD膜在原料粒子彼此的晶界不存在绝缘性低的玻璃相，与使原料粒子烧结而成的膜为同等程度，因此体积电阻率、耐电压变高。

在本发明的静电卡盘中，优选所述陶瓷电介质层的材质为钛酸钡或锆钛酸铅，所述陶瓷绝缘层的材质优选为氧化铝。

在本发明的静电卡盘中，所述陶瓷绝缘层可以以覆盖所述陶瓷电介质层的整个表面的方式设置，且具有支撑晶片的多个凸部。

在本发明的静电卡盘中，所述陶瓷电介质层可以具有支撑晶片的多个凸部，所述陶瓷绝缘层至少设置于所述凸部的顶面。在陶瓷绝缘层中，陶瓷绝缘层也可以覆盖陶瓷电介质层的整个表面而不仅仅覆盖陶瓷电介质层的凸部。

附图说明

图1是本实施方式的静电卡盘的纵剖视图。

图2是另一实施方式的静电卡盘的纵剖视图。

图3是另一实施方式的静电卡盘的纵剖视图。

图4是以往的静电卡盘的纵剖视图。

具体实施方式