[发明专利]显示设备及其制造方法在审
申请号: | 202080031674.1 | 申请日: | 2020-01-16 |
公开(公告)号: | CN113785400A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 李新兴;孔兑辰;金大贤;韦德和·巴塞尔;赵显敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/12;H01L33/36;H01L33/00 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
本公开涉及包括发光元件的显示设备。根据本发明的实施方式的显示设备包括布置在显示区域中的像素。每个像素包括:第一电极;第一绝缘层,设置在第一电极上并且包括开口,开口用于划分每个单元同时暴露第一电极的不同区域;发光元件,发光元件中的每个位于由开口中的任一个开口划分的单元内,并且包括电连接到第一电极的第一端以及在第一绝缘层上方突出的第二端;以及第二电极,设置在发光元件上并且电连接到发光元件的第二端。
技术领域
本公开的实施方式涉及显示设备及制造其的方法。
背景技术
近来,已经开发了使用具有可靠无机晶体结构的材料制造超小型发光元件和使用该发光元件制造发光器件的技术。例如,已经开发了制造多个超小型发光元件并且使用超小型发光元件形成包括显示设备的像素的各种发光器件的光源的技术,超小型发光元件各自具有与从纳米级至微米级的范围对应的小尺寸。
发明内容
技术问题
本公开的实施方式涉及具有包括发光元件的像素的显示设备及制造其的方法。
技术方案
根据本公开的实施方式的显示设备可以包括设置在显示区域中的像素。像素可以包括:第一电极;第一绝缘层,设置在第一电极上并且包括开口,开口形成为暴露第一电极的不同区域并限定相应的单元;发光元件,各自设置在由开口中的一个开口限定的单元中,并且包括电连接到第一电极的第一端以及从第一绝缘层向上突出的第二端;以及第二电极,设置在发光元件之上并且电连接到发光元件的第二端。
在实施方式中,开口中的每一个可以具有比发光元件中的每一个的长度小的宽度。
在实施方式中,发光元件中的每一个可以相对于第一电极和第二电极布置在竖直方向或对角线方向上。
在实施方式中,发光元件的第一端可以与第一电极直接接触。
在实施方式中,发光元件的第二端可以与第二电极直接接触。
在实施方式中,在平面图中,开口中的每一个可以具有多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或与它们的组合对应的形状,并且开口可以在像素的发射区域中设置成彼此相邻。
在实施方式中,显示设备还可以包括第一接触电极,第一接触电极嵌入在相应的开口中,并且与发光元件的第一端和第一电极接触。
在实施方式中,显示设备还可以包括绝缘图案,绝缘图案嵌入在相应的开口中以覆盖第一接触电极和发光元件的第一端的区域。
在实施方式中,绝缘图案可以包括有机绝缘材料。
在实施方式中,显示设备还可以包括第二绝缘层,第二绝缘层插置在第一绝缘层和第二电极之间并且围绕发光元件的侧壁。
在实施方式中,第二绝缘层可以包括有机绝缘材料,并且第二绝缘层的部分可以被引入到开口中。
在实施方式中,像素还包括至少一个中间电极,至少一个中间电极与第一电极和第二电极间隔开,并且经由至少一个发光元件电连接在第一电极和第二电极之间。
在实施方式中,像素可以包括多个中间电极。多个中间电极可以交替地设置在其上设置有第一电极的层和其上设置有第二电极的层上。
在实施方式中,发光元件可以包括杆型发光元件或核-壳发光元件。
根据实施方式的制造显示设备的方法可以包括:在基础层上形成第一电极;在第一电极上形成第一绝缘层;在第一绝缘层上形成与第一电极重叠并且包括第一开口的对准电极;使用对准电极作为掩模,在第一绝缘层中形成与第一开口重叠的第二开口;将发光元件提供在基础层上,并且通过向第一电极和对准电极施加对准信号将发光元件对准在由第一开口和第二开口形成的单元中;将发光元件的第一端电连接到第一电极;以及在发光元件的第二端上形成第二电极,使得第二电极电连接至发光元件的第二端。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的