[发明专利]具有栅极电流重用的氮化镓激光二极管驱动场效晶体管

权利要求书

1.一种用于负载的驱动器电路，所述负载具有连接至第一供应电压的第一端子和第二端子，所述驱动器电路包括：

第一FET，其连接于公共源极配置中，具有与所述负载的所述第二端子相连接的漏极、连接至接地的源极、以及用于接收栅极驱动电流的栅极；

第二FET，其连接于源极跟随器配置中，具有与所述负载的所述第二端子相连接的漏极、与所述第一FET的栅极相连接的源极、以及栅极；以及

预驱动器，其由第二供应电压供电，并且具有用于接收控制信号的输入以及与所述第二FET的栅极相连接的输出，使得所述预驱动器根据所述控制信号来驱动所述第二FET，以及所述第一FET的所述栅极驱动电流由所述第一供应电压来提供，并流经所述负载且流经所述第二FET。

2.如权利要求1所述的驱动器电路，其中所述负载包括激光二极管。

3.如权利要求1所述的驱动器电路，其中所述第一FET是增强模式GaN FET，并且所述第二FET是增强模式GaN FET。

4.如权利要求3所述的驱动器电路，其中所述预驱动器、所述第一GaN FET、以及所述第二GaN FET被整合到单个半导体芯片上。

5.如权利要求3所述的驱动器电路，其中所述第一GaN FET实质大于所述第二GaN FET。

6.如权利要求3所述的驱动器电路，还包括连接在所述第二GaN FET的源极端子与接地之间的第二负载。

7.如权利要求6所述的驱动器电路，其中所述第二负载包括电阻器。

8.如权利要求6所述的驱动器电路，其中所述第二负载包括同步下拉开关。

9.如权利要求6所述的驱动器电路，其中所述第二负载包括配置为二极管的第三GaNFET，并且具有与所述第一GaN FET的栅极相连接的栅极，在所述第三GaN FET与所述第一GaN FET之间形成电流镜。

10.如权利要求9所述的驱动器电路，其中所述电流镜具有电流镜比，所述电流镜比使得通过所述第三GaN FET的漏极至源极电流实质小于通过所述第一GaN FET的漏极至源极电流。

11.如权利要求9所述的驱动器电路，其中所述预驱动器电路、所述第一GaN FET、所述第二GaN FET、以及所述第三GaN FET被整合到单个半导体芯片上。