[发明专利]半导体振动抑制电路

权利要求书

1.一种半导体振动抑制电路，具备：

第一宽带隙半导体元件；以及

第一电容器，其与所述第一宽带隙半导体元件并联连接，具有比所述第一宽带隙半导体元件的结电容大的容量。

2.根据权利要求1所述的半导体振动抑制电路，其中，还具备：

电源，其向所述第一宽带隙半导体元件供给电力；以及

布线，其将所述电源与所述第一宽带隙半导体元件以及所述第一电容器连接。

3.根据权利要求2所述的半导体振动抑制电路，其中，

还具备第一电流路径，所述第一电流路径具有所述布线的一部分和所述第一电容器的一个电极。

4.根据权利要求3所述的半导体振动抑制电路，其中，

还具备第二电流路径，所述第二电流路径具有所述布线的一部分和所述第一电容器。

5.根据权利要求3或4所述的半导体振动抑制电路，其中，

所述第一电流路径具有电阻元件，所述电阻元件连接于所述电源侧的所述布线中的一部分布线的端部与所述第一电容器的一个电极之间。

6.根据权利要求3或4所述的半导体振动抑制电路，其特征在于，

所述第一电流路径具有变压器，所述变压器配置于所述电源侧的所述布线中的一部分布线的端部与所述第一电容器的一个电极之间，

所述变压器具有初级绕组，所述初级绕组连接于所述布线中的一部分布线的端部与所述第一电容器的一个电极之间。

7.根据权利要求6所述的半导体振动抑制电路，其中，

还具备第三电流路径，该第三电流路径具有所述电源、所述布线中的另一部分布线以及所述变压器，

所述变压器具有与所述布线中的另一部分布线连接的次级绕组。

8.根据权利要求7所述的半导体振动抑制电路，其中，

所述第三电流路径具有第一二极管，所述第一二极管具有与所述变压器连接的阴极以及与所述电源的负极侧连接的阳极。

9.根据权利要求3～8中的任一项所述的半导体振动抑制电路，其中，

还具备设置于所述布线中的一部分布线的电抗器。

10.根据权利要求3～9中的任一项所述的半导体振动抑制电路，其中，

所述第一电流路径具有正向地串联连接于所述电源的正极侧与负极侧之间的第二二极管和第三二极管，

所述第一电容器的一个电极同所述第二二极管与所述第三二极管的连接部连接。

11.根据权利要求10所述的半导体振动抑制电路，其中，

还具备第二电容器，所述第二电容器连接于所述第三二极管的阴极与所述电源的负极侧之间。

12.根据权利要求11所述的半导体振动抑制电路，其中，

还具备第二宽带隙半导体元件，所述第二宽带隙半导体元件与所述第一宽带隙半导体元件串联连接于所述电源的正极侧与负极侧之间。

13.根据权利要求12所述的半导体振动抑制电路，其中，

所述第一宽带隙半导体元件和所述第二宽带隙半导体元件是SiC器件、GaN器件或GaAs器件。

14.根据权利要求11～13中的任一项所述的半导体振动抑制电路，其中，

所述电源是直流电源或者容量比所述第一电容器及所述第二电容器的容量大的电容器。