[发明专利]用于处理基板的设备在审
申请号: | 202080032658.4 | 申请日: | 2020-05-19 |
公开(公告)号: | CN113785086A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 金種植;黄喆周 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/54;H01J37/32 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 设备 | ||
1.一种用于处理基板的设备,该设备包含:
一支撑单元,用以支撑一基板;
一盖体,在向上方向上与该支撑单元分离;
一第一气体注入单元,耦接于该盖体以将一第一气体注入至一第一区域中;
一第二气体注入单元,耦接于该盖体以将一第二气体注入至一第二区域中;
一清除气体单元,耦接于该盖体以将一清除气体注入至一第三区域中,该第三区域设置于该第一区域与该第二区域之间;以及
一旋转单元,用以使该支撑单元旋转,
其中
该旋转单元使得该支撑单元旋转以使得该基板在该第一区域与该第二区域之间移动,当在该第一区域中执行使用该第一气体的工艺且在该第二区域中执行使用该第二气体的工艺时,该旋转单元使该支撑单元停止旋转,并且
该第一气体注入单元的底面与该支撑单元分离的距离短于该第二气体注入单元的底面与该支撑单元分离的距离。
2.如权利要求1所述的设备,其中
该第二气体注入单元的底面在该向上方向上与该盖体的底面分离,并且
该第一气体注入单元的底面在相对该向上方向的向下方向上与该盖体的底面分离。
3.如权利要求1所述的设备,其中该第二气体注入单元的底面与该支撑单元分离的距离为该第一气体注入单元的底面与该支撑单元分离的距离的3至15倍。
4.如权利要求1所述的设备,其中该第一气体注入单元将该第一气体注入至该第一区域中,该第一区域的容积小于供该第二气体注入单元注入该第二气体的该第二区域的容积。
5.如权利要求1所述的设备,其中
该第一气体注入单元包含:
一模块主体,耦接于该盖体;以及
多个第一注入孔,提供于该模块主体中以将该第一气体注入至该第一区域中,并且
其中该第二气体注入单元包含:
一第一电极,形成有注入该第二气体的多个第二注入孔,该第一电极耦接于多个突出电极;以及
一第二电极,在对应于所述突出电极的位置提供有多个开口。
6.如权利要求5所述的设备,其中该第二气体注入单元将该第二气体注入至一分离空间中,该分离空间介于该第一电极与该第二电极之间。
7.如权利要求1所述的设备,其中该清除气体单元的底面与该支撑单元分离的距离短于该第一气体注入单元的底面与该支撑单元分离的距离。
8.如权利要求1所述的设备,其中该清除气体单元的底面及该第一气体注入单元的底面以相同的距离与该支撑单元分离。
9.如权利要求1所述的设备,其中该支撑单元包含一安装件,该安装件在该向上方向上从该支撑单元的顶面突出,以将该基板的顶面放置于与该支撑单元的顶面分离的位置。
10.如权利要求1所述的设备,还包含一突出件,该突出件设置于该第三区域中以在该向上方向上从该支撑单元的顶面突出。
11.如权利要求10所述的设备,其中该突出件包含:
一第一气体槽,提供于该第一区域与该第三区域之间;以及
一第二气体槽,提供于该第一区域与该第二区域之间。
12.如权利要求1所述的设备,还包含一突出件,该突出件设置于该第三区域中以在该向上方向上从该支撑单元的顶面突出,
其中
该支撑单元包含一安装件,该安装件与该突出件分离以在该向上方向上从该支撑单元的顶面突出,
该突出件包含一第一气体槽及一第二气体槽,该第一气体槽提供于该第一区域与该第三区域之间,该第二气体槽提供于该第一区域与该第二区域之间,并且
该突出件及该安装件各包含面对该第一气体槽及该第二气体槽的外表面。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的