[发明专利]具有原位腔室清洁能力的物理气相沉积(PVD)腔室

权利要求书

1.一种被配置成用于在用于处理基板的工艺腔室中使用的工艺配件，包括：

屏蔽物，所述屏蔽物具有圆柱形主体，所述圆柱形主体具有上部分和下部分；

适配器部分，所述适配器部分被配置为被支撑在所述工艺腔室的壁上并且具有用于支撑所述屏蔽物的搁置表面；和

加热器，所述加热器耦接到所述适配器部分并且被配置成电耦接到所述工艺腔室的至少一个电源以加热所述屏蔽物。

2.如权利要求1所述的工艺配件，其中所述加热器包括灯、辐射加热装置或嵌入式电阻加热器中的至少一者。

3.如权利要求1所述的工艺配件，进一步包括密封表面，当将所述工艺配件放置在所述工艺腔室中时，工艺腔室盖搁置在所述密封表面上以密封所述工艺腔室的内部容积。

4.如权利要求1所述的工艺配件，进一步包括设置在所述屏蔽物与所述适配器部分之间的路径，所述路径足以允许将清洁气体引入到所述工艺腔室中。

5.如权利要求1所述的工艺配件，其中所述适配器部分包括端口，所述端口被配置为耦接至远程等离子体源，以在使用期间将活化的清洁气体提供至所述工艺腔室的内部容积中。

6.一种被配置用于处理基板的工艺腔室，包括：

腔室壁，所述腔室壁至少部分地限定所述工艺腔室内的内部容积；

溅射靶，所述溅射靶设置在所述内部容积的上部分中；

基板支撑件，所述基板支撑件具有用于将基板支撑在所述溅射靶下方的支撑表面；和

工艺配件，所述工艺配件围绕所述溅射靶和所述基板支撑件，所述工艺配件包括：

屏蔽物，所述屏蔽物具有圆柱形主体，所述圆柱形主体具有上部分和下部分；

适配器部分，所述适配器部分被支撑在所述工艺腔室的工艺腔室壁上并且具有用于支撑所述屏蔽物的搁置表面；和

加热器，所述加热器耦接至所述适配器部分并且被配置成电耦接到所述工艺腔室的至少一个电源以加热所述屏蔽物。

7.如权利要求6所述的工艺腔室，其中所述加热器包括灯、辐射加热装置或嵌入式电阻加热器中的至少一者。

8.如权利要求6所述的工艺腔室，进一步包括密封表面，当将所述工艺配件放置在所述工艺腔室中时，工艺腔室盖搁置在所述密封表面上以密封所述工艺腔室的所述内部容积。

9.如权利要求6所述的工艺腔室，进一步包括设置在所述屏蔽物与所述适配器部分之间的路径，所述路径足以允许将清洁气体引入到所述工艺腔室中。

10.如权利要求6所述的工艺腔室，其中所述适配器部分包括端口，所述端口被配置为耦接至远程等离子体源，以在使用期间将活化的清洁气体提供至所述工艺腔室的所述内部容积中。

11.如权利要求6所述的工艺腔室，进一步包括以下项中的至少一者：

气源，所述气源被配置为将清洁气体提供到所述工艺腔室的所述内部容积中，RF电源、DC电源或微波电源耦接至所述工艺腔室；或

远程等离子体源，所述远程等离子体源耦接到所述工艺腔室且被配置成将活化的清洁气体提供至所述工艺腔室的所述内部容积中。

12.如权利要求11所述的工艺腔室，其中存在以下情况中的至少一者：

所述RF电源耦接到所述基板支撑件的可偏置基座或所述屏蔽物的盖环中的至少一者，

所述DC电源耦接到所述屏蔽物的所述盖环，或

所述微波电源进一步包括围绕所述溅射靶的周边以圆形配置而布置的复数个介电谐振器。

13.如权利要求6所述的工艺腔室，进一步包括被配置成排放用过的工艺气体的排放装置。