[发明专利]发光粒子的制造方法、发光粒子、发光粒子分散体、油墨组合物和发光元件

权利要求书

1.一种发光粒子的制造方法，其特征在于，具有以下工序：使包含半导体纳米晶体的原料化合物的溶液含浸于具有内侧空间和与该空间连通的细孔的中空粒子，并进行干燥，从而使具有发光性的钙钛矿型半导体纳米晶体在所述中空粒子的所述内侧空间析出。

2.一种发光粒子的制造方法，其特征在于，具有：

工序1，使包含半导体纳米晶体的原料化合物的溶液含浸于具有内侧空间和与该空间连通的细孔的中空粒子，并进行干燥，从而使具有发光性的钙钛矿型半导体纳米晶体在所述中空粒子的所述内侧空间析出，获得在所述中空粒子的内侧空间容纳有所述半导体纳米晶体的母粒子；以及

工序2，接着利用疏水性聚合物被覆所述母粒子的表面而形成聚合物层。

3.根据权利要求1或2所述的发光粒子的制造方法，所述中空粒子为中空二氧化硅粒子、中空氧化铝粒子、中空氧化钛粒子或中空聚合物粒子。

4.根据权利要求1或2所述的发光粒子的制造方法，所述中空粒子的平均外径为5～300nm。

5.根据权利要求1或2所述的发光粒子的制造方法，所述中空粒子的平均内径为1～250nm。

6.根据权利要求1或2所述的发光粒子的制造方法，所述细孔的尺寸为0.5～10nm。

7.根据权利要求2所述的发光粒子的制造方法，所述聚合物层的厚度为0.5～100nm。

8.根据权利要求2或7所述的发光粒子的制造方法，所述疏水性聚合物是将可溶于非水溶剂且聚合后变为不溶或难溶的至少1种聚合性不饱和单体与可溶于非水溶剂的具有聚合性不饱和基的聚合物一起载持于所述母粒子的表面后，使所述聚合物与所述聚合性不饱和单体进行聚合而获得的。

9.根据权利要求8所述的发光粒子的制造方法，所述非水溶剂包含脂肪族烃系溶剂和脂环式烃系溶剂中的至少一者。

10.根据权利要求2、7和9中任一项所述的发光粒子的制造方法，所述母粒子进一步具有中间层，该中间层位于所述中空粒子与所述半导体纳米晶体之间，且由配位于该半导体纳米晶体的表面的配体构成。

11.根据权利要求8所述的发光粒子的制造方法，所述母粒子进一步具有中间层，该中间层位于所述中空粒子与所述半导体纳米晶体之间，且由配位于该半导体纳米晶体的表面的配体构成。

12.根据权利要求10所述的发光粒子的制造方法，所述配体具有与所述半导体纳米晶体所包含的阳离子结合的结合性基团。

13.根据权利要求11所述的发光粒子的制造方法，所述配体具有与所述半导体纳米晶体所包含的阳离子结合的结合性基团。

14.根据权利要求12或13所述的发光粒子的制造方法，所述结合性基团为羧基、羧酸酐基、氨基、铵基、巯基、膦基、氧化膦基、磷酸基、膦酸基、次膦酸基、磺酸基和硼酸基中的至少1种。

15.一种发光粒子，其特征在于，具有：中空粒子，其具有内侧空间和与该内侧空间连通的细孔；以及钙钛矿型半导体纳米晶体，其容纳于所述内侧空间且具有发光性。

16.一种发光粒子，其特征在于，具有：母粒子，其包含具有内侧空间和与该内侧空间连通的细孔的中空粒子、及容纳于所述内侧空间且具有发光性的钙钛矿型半导体纳米晶体；以及

聚合物层，其被覆该母粒子的表面，且由疏水性聚合物构成。