[发明专利]存储器阵列以及用于形成存储器阵列和导电阵列通孔(TAV)的方法

权利要求书

1.一种用于形成存储器阵列和导电阵列通孔(TAV)的方法，其包括：

形成包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠；

在所述堆叠上方形成包括水平伸长的沟槽开口和操作性TAV开口的掩模；

通过所述掩模中的所述沟槽开口和所述操作性TAV开口蚀刻所述堆叠的未掩蔽部分以在所述堆叠中形成水平伸长的沟槽开口且在所述堆叠中形成操作性TAV开口；

在所述堆叠中的所述操作性TAV开口中形成导电材料以在所述堆叠中的所述操作性TAV开口中的个别者中形成个别操作性TAV；以及

在所述堆叠中的所述沟槽开口中的个别者中形成字线介入结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述蚀刻之前穿过所述绝缘层和所述字线层形成沟道材料串。

3.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述蚀刻之后穿过所述绝缘层和所述字线层形成沟道材料串。

4.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述堆叠中形成所述字线介入结构之前，在所述堆叠中的所述个别操作性TAV开口中形成所述导电材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述堆叠中的所述个别操作性TAV开口中形成所述导电材料之前，在所述堆叠中形成所述字线介入结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其包括：

形成所述掩模以包括虚设TAV开口；

所述蚀刻还在所述堆叠中形成虚设TAV开口；以及

在所述堆叠中的所述虚设TAV开口中的个别者中形成虚设材料。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，

所述虚设材料包括所述导电材料；以及

在所述堆叠中的所述个别操作性TAV开口中和在所述堆叠中的所述个别虚设TAV开口中形成所述导电材料同时发生。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，

所述虚设材料不包括所述导电材料；以及

在所述堆叠中的所述个别操作性TAV开口中形成所述导电材料和在所述堆叠中的所述个别虚设TAV开口中形成所述虚设材料发生在不同时间间隔的时间周期。

9.根据权利要求8所述的方法，其包括在所述堆叠中的所述个别虚设TAV开口中形成所述虚设材料之前，在所述堆叠中的所述个别操作性TAV开口中形成所述导电材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述堆叠中的所述个别操作性TAV开口中形成所述导电材料之前和在所述堆叠中形成所述字线介入结构之前，在所述堆叠中的所述个别操作性TAV开口中和所述堆叠中的所述个别沟槽开口中形成和去除牺牲插塞。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述堆叠中的所述个别操作性TAV开口中和所述堆叠中的所述个别沟槽开口中的所述牺牲插塞不足以填充所述堆叠中的所述个别操作性TAV开口且不足以填充所述堆叠中的所述个别沟槽开口，由此包括在所述堆叠中的所述个别操作性TAV开口中和所述个别沟槽开口中的所述牺牲插塞中的个别者下方的空隙空间。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述堆叠中的所述个别操作性TAV开口中和所述堆叠中的所述个别沟槽开口中的所述牺牲插塞完全填充所述堆叠中的所述个别操作性TAV开口且完全填充所述堆叠中的所述个别沟槽开口。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述堆叠中的所述个别操作性TAV开口中和所述堆叠中的所述个别沟槽开口中的所述牺牲插塞同时形成且在不同时间间隔的时间周期去除。