[发明专利]包含脂环式化合物末端的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含在末端含有脂肪族环的聚合物，且进一步包含有机溶剂，所述脂肪族环的碳-碳键可以被杂原子中断并且所述脂肪族环可以经取代基取代。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述脂肪族环为碳原子数3～10的单环式或多环式脂肪族环。

3.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述多环式脂肪族环为二环或三环。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述脂肪族环具有至少1个不饱和键。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述取代基选自羟基、直链状或支链状的碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～20的烷氧基、碳原子数1～10的酰氧基和羧基。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物在主链具有下述式(3)所示的至少1种结构单元，

在式(3)中，A₁、A₂、A₃、A₄、A₅和A₆各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q₁表示2价有机基，m₁和m₂各自独立地表示0或1。

7.根据权利要求6所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在所述式(3)中，Q₁表示下述式(5)所示的2价有机基，

式中，Y表示下述式(6)或式(7)所示的二价基；

式中，R₆和R₇各自独立地表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数3～6的烯基、苄基或苯基，所述苯基可以经选自碳原子数1～6的烷基、卤原子、碳原子数1～6的烷氧基、硝基、氰基和碳原子数1～6的烷硫基中的至少1个取代，或R₆与R₇可以彼此结合而与该R₆和R₇所结合的碳原子一起形成碳原子数3～6的环。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物进一步在主链中包含二硫键。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含固化催化剂。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含交联剂。

11.一种抗蚀剂下层膜，其特征在于，是由权利要求1～10中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的涂布膜的烧成物。

12.一种进行了图案形成的基板的制造方法，其包含下述工序：在半导体基板上涂布权利要求1～10中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物并进行烘烤而形成抗蚀剂下层膜的工序；在所述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂并进行烘烤而形成抗蚀剂膜的工序；将被所述抗蚀剂下层膜和所述抗蚀剂被覆了的半导体基板曝光的工序；将曝光后的所述抗蚀剂膜显影，进行图案形成的工序。

13.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含下述工序：

在半导体基板上形成由权利要求1～10中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的抗蚀剂下层膜的工序；

在所述抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂膜的工序；

通过对抗蚀剂膜的光或电子射线的照射与之后的显影而形成抗蚀剂图案的工序；

经由所形成的所述抗蚀剂图案对所述抗蚀剂下层膜进行蚀刻，从而形成被图案化了的抗蚀剂下层膜的工序；以及

利用被图案化了的所述抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工的工序。