[发明专利]磁片堆栈、用于制造磁片堆栈的方法和电机在审

专利信息
申请号: 202080033654.8 申请日: 2020-04-16
公开(公告)号: CN113796001A 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: J.布施贝克;G.里格;C.舒;T.索勒;R.沃尔默 申请(专利权)人: 西门子股份公司
主分类号: H02K1/04 分类号: H02K1/04;H02K15/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张建锋
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁片 堆栈 用于 制造 方法 电机
【权利要求书】:

1.一种磁片堆栈,所述磁片堆栈具有多个磁片(20),所述磁片彼此电绝缘,其方法是,所述磁片彼此主要以非零化的净尺寸彼此间隔开。

2.根据前述权利要求中任一项所述的磁片堆栈,其中,所述磁片(20)借助一个或多个位于它们之间的距离保持器(30)彼此间隔开。

3.根据前述权利要求中任一项所述的磁片堆栈,其中,利用陶瓷形成所述一个或多个距离保持器(30)。

4.根据前述权利要求中任一项所述的磁片堆栈,其中,利用氧化铝和/或氧化锆和/或氧化镁和/或氧化钇和/或氮化硼和/或钇铝石榴石和/或氮化硅和/或二氧化硅形成所述一个或多个距离保持器(30)。

5.根据前述权利要求中任一项所述的磁片堆栈,其中,利用电绝缘材料的颗粒形成所述一个或多个距离保持器(30)。

6.根据权利要求5所述的磁片堆栈,其中,所述颗粒具有至多300微米、尤其至多100微米的直径,并且优选具有至多50微米的直径。

7.根据权利要求5或6所述的磁片堆栈,其中,所述颗粒的直径具有单峰的或至少近似高斯分布的尺寸分布,所述尺寸分布具有至少0.5微米和/或至多20微米的平均值、优选至少1微米和/或至多6微米的平均值、特别优选至少2微米和/或至多4微米的平均值。

8.根据前述权利要求中任一项所述的磁片堆栈,其中,利用陶瓷颗粒形成一个或多个颗粒。

9.根据前述权利要求中任一项所述的磁片堆栈,其中,一个或多个颗粒基本上球形地构造。

10.一种用于制造根据前述权利要求中任一项所述的磁片堆栈的方法,其中,提供磁片(20),提供具有陶瓷颗粒的悬浮液,并且将悬浮液沉积在一个或多个磁片(20)上,然后堆叠所述磁片(20)。

11.根据权利要求10所述的方法,其中,通过喷涂和/或印刷悬浮液和/或将一个或多个磁片(20)浸入悬浮液中来进行沉积。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述磁片(20)在其堆叠期间或之后被相互挤压或打包。

13.一种电机,所述电机具有根据权利要求1至9中任一项所述的磁片堆栈(10)和/或按照根据权利要求10至12中任一项所述的方法来制造。

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