[发明专利]电子发射元件以及电子显微镜在审
申请号: | 202080033885.9 | 申请日: | 2020-03-23 |
公开(公告)号: | CN113795902A | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 村上胜久;长尾昌善 | 申请(专利权)人: | 国立研究开发法人产业技术综合研究所 |
主分类号: | H01J37/06 | 分类号: | H01J37/06;H01J37/073;H01J9/02;H01J1/312 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 吕琳;朴秀玉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 发射 元件 以及 电子显微镜 | ||
1.一种电子发射元件,其特征在于,
所述电子发射元件具备:第一电极、由绝缘膜构成的电子加速层以及第二电极依次层叠而成的层叠结构,
所述第二电极为供电子透过、从表面发射电子的电极,
发射出的电子的能量散度为100meV以上且600meV以下。
2.根据权利要求1所述的电子发射元件,其特征在于,
所述第二电极为1层以上且20层以下的石墨烯。
3.根据权利要求1或2所述的电子发射元件,其特征在于,
所述绝缘膜为六方晶系的氮化硼。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子发射元件,其特征在于,
所述第一电极为半导体。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的电子发射元件,其特征在于,
所述第一电极为磁性体。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的电子发射元件,其特征在于,
所述第一电极具有量子阱结构。
7.一种电子显微镜,其特征在于,
所述电子显微镜具备权利要求1至6中任一项所述的电子发射元件,从该电子发射元件向真空中或气体中发射电子。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立研究开发法人产业技术综合研究所,未经国立研究开发法人产业技术综合研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080033885.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。