[发明专利]半导体功率模块

权利要求书

1.一种半导体功率模块(1)，具有第一功率晶体管(5LA)和第二功率晶体管(5LB)，所述第一功率晶体管(5LA)和所述第二功率晶体管(5LB)并联地布置在第一集电极导体迹线(11L)和第一发射极导体迹线(9L)之间，其中所述功率晶体管(5LA、5LB)的第一连接表面分别与所述第一集电极导体迹线(11L)导电连接，并且所述功率晶体管(5LA、5LB)的第二连接表面分别与所述第一发射极导体迹线(9L)导电连接，使得当所述功率晶体管(5LA、5LB)分别通过所施加的控制电压被导通时，在所述第一集电极导体迹线(11L)和所述第一发射极导体迹线(9L)之间流动的电流分配在两个所述功率晶体管(5LA、5LB)上，其中第一外部功率接触(P)在第一接触区域(KB1)处直接与所述第一集电极导体迹线(11)接触，其中第二外部功率接触(TL)通过第一连接元件(13)在第二接触区域(KB2)处与所述第一发射极导体迹线(9L)接触，并且其中所述第二接触区域(KB2)在机械上不对称地定位在与所述第一发射极导体迹线(9L)连接的功率晶体管(5LA、5LB)之间，使得在两个所述功率晶体管(5LA、5LB)处得到具有相同有效控制电压的电对称性。

2.根据权利要求1所述的半导体功率模块(1)，其特征在于，第三功率晶体管(5HA)和第四功率晶体管(5HB)并联地布置在第二集电极导体迹线(11H)和第二发射极导体迹线(9H)之间，其中所述功率晶体管(5HA、5HB)的第一连接表面分别与所述第二集电极导体迹线(11H)导电连接，并且所述功率晶体管(5HA、5HB)的第二连接表面分别与所述第二发射极导体迹线(9H)导电连接，使得当所述功率晶体管(5HA、5HB)分别通过所施加的控制电压被导通时，在所述第二集电极导体迹线(11H)和所述第二发射极导体迹线(9H)之间流动的电流分配在两个所述功率晶体管(5HA、5HB)上，其中第三外部功率接触(TH)在第三接触区域(KB3)处直接与所述第二集电极导体迹线(11H)接触，并且其中所述第二发射极导体迹线(9H)通过第二连接元件(12)在第四接触区域(KB4)处与所述第一集电极导体迹线(11L)接触。

3.根据权利要求2所述的半导体功率模块(1)，其特征在于，所述第一功率晶体管(5LA)和并联连接的所述第二功率晶体管(5LB)形成在所述第二外部功率接触(TL)和所述第一外部功率接触(P)之间的低侧路径，并且所述第三功率晶体管(5HA)和并联连接的所述第四功率晶体管(5HB)形成在所述第三外部功率接触(TH)和所述第一外部功率接触(P)之间的高侧路径。

4.根据权利要求2或3所述的半导体功率模块(1)，其特征在于，第一续流二极管(3L)与所述第一功率晶体管(5LA)和所述第二功率晶体管(5LB)并联地布置在所述第一集电极导体迹线(11L)和所述第一发射极导体迹线(9L)之间，并且第二续流二极管(3H)与所述第三功率晶体管(5HA)和所述第四功率晶体管(5HB)并联地布置在所述第二集电极导体迹线(11H)和所述第二发射极导体迹线(9H)之间。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体功率模块(1)，其特征在于，所述第四接触区域(KB4)相对于在所述第三功率晶体管(5HA)和并联连接的所述第四功率晶体管(5HB)之间的距离在机械和电气上对称地定位在两个所述功率晶体管(5HA、5HB)之间。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体功率模块(1)，其特征在于，所述第二接触区域(KB2)相对于在所述第一功率晶体管(5LA)和所述第二功率晶体管(5LB)之间的距离在机械上朝所述第二功率晶体管(5LB)的方向移动，所述第二功率晶体管(5LB)在空间上比所述第一功率晶体管(5LA)更远离所述第二功率接触(TL)。

7.根据权利要求6所述的半导体功率模块(1)，其特征在于，在外部发射极接触(EL)和与所述第一功率晶体管(5LA)的控制端子连接的第一外部栅极接触(G1L)之间施加有第一控制电压。