[发明专利]微装置的选择性释放及转移在审
申请号: | 202080034593.7 | 申请日: | 2020-05-25 |
公开(公告)号: | CN113811989A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | A·D·T·维尔斯马;P·P·加维尔内尼 | 申请(专利权)人: | 维耶尔公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张晓媛 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 选择性 释放 转移 | ||
1.一种将多个微装置集成在系统衬底上的方法,其包括:
提供包括所述多个微装置的施体衬底;
将所述多个微装置转移到中间衬底;
接近于所述系统衬底将所述中间衬底上的一组选定微装置对准;
将所述中间衬底移动到所述系统衬底,使得所述选定微装置中的每一者与所述系统衬底上的对应接触垫对齐;
在所述一组选定微装置与所述系统衬底之间提供光敏性层;
接通所述选定微装置;
通过由所述选定微装置所发射的光来固化所述一组选定微装置与所述系统衬底之间的所述光敏性层;及
将所述一组选定微装置接合到所述系统衬底上的所述对应接触垫。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述光敏性层包括可见光可固化透明环氧树脂或光致抗蚀剂。
3.根据权利要求1所述的方法,其中全局地或选择性地施加所述光敏性层。
4.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
通过显影剂溶液移除未经固化光敏性层。
5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:移除所述中间衬底。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述提供包括所述微装置的所述施体衬底的步骤包括:
在所述施体衬底上制作所述微装置;
在所述施体衬底上所述微装置的侧壁上安装反射器;
在所述微装置上或上方保形地沉积牺牲层;及
在所述微装置上及上方提供平面化层。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述平面化层经图案化以在所述微装置的顶部上形成开口,用于连接到所述中间衬底。
8.根据权利要求6所述的方法,其中所述牺牲层包括以下各项中的一者:光致抗蚀剂层、金属层或保形介电层。
9.根据权利要求6所述的方法,其中在接近于所述系统衬底将所述中间衬底上的所述微装置对准之前移除所述牺牲层。
10.根据权利要求6所述的方法,其中使用蚀刻或光刻来图案化所述侧壁反射器以暴露所述微装置的顶部表面。
11.根据权利要求6所述的方法,其中在所述施体衬底上制作的所述微装置包括以下各项中的一者:圆柱体结构、台面结构、倒装芯片结构或垂直结构。
12.根据权利要求1所述的方法,其中所述将所述多个微装置转移到所述中间衬底的步骤包括:
提供用于将每一微装置固持到所述施体衬底的锚;及
移除所述施体衬底。
13.根据权利要求12所述的方法,其中通过以下各项中的一者移除所述施体衬底:激光剥离或化学蚀刻。
14.根据权利要求12所述的方法,其中移除所述中间衬底包括使所述一组选定微装置的所述锚断裂。
15.根据权利要求1所述的方法,其中所述中间衬底包括经图案化驱动电路层。
16.根据权利要求1所述的方法,其中所述经图案化驱动层包括TFT。
17.根据权利要求1所述的方法,其中所述系统衬底是以下各项中的一者:蓝宝石衬底或玻璃衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造