[发明专利]支撑光学元件在审

专利信息
申请号: 202080034662.4 申请日: 2020-05-08
公开(公告)号: CN113811820A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: C.科尔纳;C.米勒;E.安塞尔姆 申请(专利权)人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G02B7/02;G02B7/182;G02B7/00;G02B27/64
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王蕊瑞
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 支撑 光学 元件
【说明书】:

本发明关于一种特别用于使用极紫外线(EUV)范围中的光的微光刻成像装置的布置,其包含固持装置(110),用于固持固持光学元件(109),其中该光学元件(109)包含光学表面(109.1)并限定主延伸平面,其中该光学元件(109)限定径向方向和圆周方向。固持装置(110)包含基座单元(110.1)和三个以上分开的固持单元(110.2),其中该基座单元(110.1)包含多个支撑界面单元(110.3),其在该圆周方向上彼此间隔开,用于将固持装置(110)连接到支撑结构(102.1)。固持单元(110.2)连接到基座单元(110.1),并以沿着圆周方向分布且彼此间隔开的方式配置。固持单元(110.2)构成相对于基座单元(110.1)固持光学元件(109)。基座单元包含至少一个支撑薄膜元件(110.4),其中该至少一个支撑薄膜元件(110.4)主要沿着圆周方向且沿着径向方向延伸,其中该至少一个支撑薄膜元件(110.4)具有横向于该圆周方向和径向方向的厚度尺寸。固持单元(110.2)配置在面向光学元件(109)的至少一个支撑薄膜元件(110.4)的前侧上。

相关申请的交叉引用

本申请案根据35 U.S.C.§119主张于2019年5月10日所申请的第102019 112224.4号德国专利申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文供参考。

技术领域

本发明关于一种用于适用于利用UV成像光、特别是极紫外线(EUV)范围中的光的微光刻的光学布置。此外,本发明关于一种包含此布置的光学成像装置。本发明可搭配任何所需光学成像方法使用。特别是可具优势地用于微电子电路以及用于该目的(例如光学掩模)的光学部件的生产或检测。

背景技术

搭配微电子电路的生产使用的光学装置通常包含多个光学元件单元,其包含一个或多个光学元件,例如配置在成像光路中的透镜元件、反射镜、或光栅。前述光学元件通常在成像过程中相配合,以将物体(例如形成在掩模上的图案)的像转印到基板(例如所谓的晶片)上。光学元件通常组合在若适当则固持在分开成像单元中的一个或多个功能群组中。特别是在以所谓的真空紫外光(Vacuum ultraviolet,VUV)范围内的波长(例如在193nm的波长下)操作的主要折射系统的情况下,此成像单元经常由固持一个或多个光学元件的光学模组的堆叠形成。前述光学模组通常包含一支撑结构,其具有支撑一个或多个光学元件固持器(其进而固持相应光学元件)的实质上环形外支撑单元。

半导体部件不断进展的微小化导致持续提高用于其生产的光学系统的分辨率的需求。此提高分辨率的需求需要提高光学系统的数值孔径(Numerical aperture,NA)和成像准确度。

用于得到经提高的光学分辨率的一种方法在于减小成像过程中所使用的光的波长。近年来的趋势已逐渐促进其中使用所谓的极紫外线(EUV)范围内(通常在5nm至20nm的波长下,大多在大致13nm的波长下)的光的系统的开发。在此EUV范围内,不再可能使用惯用折射光学系统。这是由于以下事实:在此EUV范围内,用于折射光学系统的材料具有的吸收性过高,以致无法以可用光功率达成可接受成像结果。所以,在此EUV范围内,有必要使用反射光学系统进行成像。

到在UV范围内具有高数值孔径(如NA0.4至0.5)的纯反射光学系统的该转变导致有关成像装置的设计的相当大的挑战。

上述所提到因素导致有关参与成像的光学元件相对于彼此的位置和/或定向,以及有关个别光学元件的变形以便达成所需成像准确度的非常严格的要求。而且,有必要在其整个操作过程中、最终在系统的整个使用寿命中维护这种高成像准确度。

所以,在成像过程期间相配合的光学成像装置的部件(即,例如,照明装置的光学元件、掩模、投射装置的光学元件、以及基板)必须以良好定义的方式支撑,以维持这些部件之间所预定的良好定义的空间关系,并得到这些部件的最小非所需变形,以最终达成最高可能的成像品质。

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