[发明专利]封装结构及制作方法

权利要求书

1.一种封装组件，包括：

框架，具有第一表面，所述第一表面与第二表面相对，所述框架进一步包括：

框架材料，所述框架材料包含硅；

至少一个空腔，其中设置有半导体晶粒；以及

通孔，包括通孔表面，所述通孔表面定义开口，所述开口从所述第一表面到所述第二表面延伸穿过所述框架；

绝缘层，设置在所述第一表面与所述第二表面上方，所述绝缘层接触所述半导体晶粒的每一侧的至少一部分；以及

电互连，设置在所述通孔内，其中所述绝缘层设置在所述通孔表面与所述电互连之间。

2.如权利要求1所述的封装组件，其中所述框架包括太阳能基板。

3.如权利要求1所述的封装组件，其中所述框架具有在约60μm和约160μm之间的厚度。

4.如权利要求1所述的封装组件，其中所述至少一个空腔具有在约3mm和约50mm之间的横向尺寸。

5.如权利要求1所述的封装组件，其中所述通孔具有在约20μm和约200μm之间的直径。

6.如权利要求1所述的封装组件，进一步包括氧化层，所述氧化层形成在所述框架上。

7.如权利要求1所述的封装组件，其中所述绝缘层包括环氧树脂。

8.如权利要求7所述的封装组件，其中所述绝缘层在所述电互连与所述半导体晶粒之间具有在约5μm和约50μm之间的厚度。

9.如权利要求1所述的封装组件，进一步包括设置在所述电互连与所述绝缘层之间的黏附层或籽晶层。

10.如权利要求9所述的封装组件，其中所述黏附层包括钼，并且所述籽晶层包括铜。

11.一种封装组件，包括：

嵌入式晶粒组件，所述嵌入式晶粒组件包括：

框架，所述框架包含硅；

氧化层，设置在所述框架的表面上方；

一个或多个半导体晶粒，设置在所述框架内，所述一个或多个半导体晶粒具有形成在其上的集成电路；以及

绝缘层，形成在所述氧化层上，所述绝缘层包括环氧树脂材料，所述环氧树脂材料中设置有陶瓷颗粒；以及

一个或多个金属互连，设置在所述嵌入式晶粒组件的一部分内。

12.如权利要求11所述的封装组件，其中所述框架包括单晶太阳能基板。

13.如权利要求11所述的封装组件，其中所述框架进一步包括：

一个或多个空腔，形成在所述框架中，所述一个或多个空腔具有设置在其中的一个或多个半导体晶粒；以及

一个或多个通孔，形成在所述框架中，其中所述一个或多个金属互连设置成穿过所述一个或多个通孔。

14.如权利要求11所述的封装组件，进一步包括：

钼黏附层和铜籽晶层，设置在所述一个或多个金属互连中的每一者与所述绝缘层之间。

15.一种封装组件，包括：

嵌入式晶粒组件，所述嵌入式晶粒组件包括：

框架，所述框架包含硅；

一个或多个半导体晶粒，设置在所述框架内；

第一绝缘层，形成在所述框架上，所述第一绝缘层包括环氧树脂材料，所述环氧树脂材料包括陶瓷颗粒；以及

一个或多个电互连，设置成穿过所述框架或所述第一绝缘层；以及

重分布层，形成在所述嵌入式晶粒组件上，所述重分布层包括：

第二绝缘层，形成在所述第一绝缘层上；以及

一个或多个电重分布连接，设置成穿过所述第二绝缘层。