[发明专利]氮化硅的蚀刻方法及半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 202080034864.9 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN113811984A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 松井一真 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 蚀刻 方法 半导体 元件 制造 | ||
1.一种氮化硅的蚀刻方法，具备以下的蚀刻工序：
在含有卤素氟化物的蚀刻气体中配置含有氮化硅的蚀刻对象物，在1Pa以上且80kPa以下的压力下，以不使用等离子体的方式对所述蚀刻对象物的所述氮化硅进行蚀刻，所述卤素氟化物为溴或碘与氟的化合物。
2.根据权利要求1所述的氮化硅的蚀刻方法，
所述蚀刻气体中含有的氟化氢的含量小于100体积ppm。
3.根据权利要求1或2所述的氮化硅的蚀刻方法，
所述蚀刻对象物的温度为155℃以上且500℃以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的氮化硅的蚀刻方法，
所述蚀刻气体中含有的所述卤素氟化物的含量为1体积％以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的氮化硅的蚀刻方法，
所述蚀刻气体是仅由所述卤素氟化物组成的气体或由所述卤素氟化物和惰性气体组成的混合气体。
6.根据权利要求5所述的氮化硅的蚀刻方法，
所述惰性气体是选自氮气、氦气、氩气、氖气、氪气及氙气中的至少一种。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的氮化硅的蚀刻方法，
所述卤素氟化物是选自三氟化溴、五氟化溴、五氟化碘及七氟化碘中的至少一种。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的氮化硅的蚀刻方法，
所述蚀刻对象物含有所述氮化硅和抑制所述蚀刻气体对所述氮化硅的蚀刻的耐蚀刻材料，利用所述蚀刻气体对所述蚀刻对象物中的所述氮化硅选择性地进行蚀刻。
9.根据权利要求8所述的氮化硅的蚀刻方法，
所述耐蚀刻材料含有选自二氧化硅、光致抗蚀剂及无定形碳中的至少一种。
10.根据权利要求8或9所述的氮化硅的蚀刻方法，
所述氮化硅的蚀刻速度相对于所述耐蚀刻材料的蚀刻速度之比即蚀刻选择比为10以上。
11.一种半导体元件的制造方法，使用权利要求1～10中任一项所述的氮化硅的蚀刻方法来制造半导体元件。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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