[发明专利]两亲性三嵌段共聚物在审
| 申请号： | 202080035679.1 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN114174363A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 阿波斯托洛斯·阿维格罗普洛斯;迪米特里额斯·莫施万斯;米歇尔·曼-舒·默克;蒂莫西·马丁·吉拉尔;卡尔·安德鲁·拉斯科夫斯基;卢卡斯·大卫·麦金托什 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司;约阿尼纳大学;阿波斯托洛斯·阿维格罗普洛斯 |
| 主分类号： | C08F297/04 | 分类号： | C08F297/04;C08F8/42;C08J5/18;C08L53/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王潜;郭国清 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 两亲性 三嵌段共聚物 | ||
1.一种两亲性三嵌段共聚物，所述两亲性三嵌段共聚物包含：
基于所述两亲性三嵌段共聚物中的重复单元的总摩尔数计20摩尔％至45摩尔％的A嵌段，其中所述A嵌段包含聚(异戊二烯)，并且所述A嵌段中的大于90摩尔％的重复单元具有式(I-A)
*-CH2-CH＝C(CH3)-CH2-*
(I-A)；
基于所述两亲性三嵌段共聚物中的重复单元的总摩尔数计40摩尔％至65摩尔％的B嵌段，其中所述B嵌段包含聚(乙烯基芳族)；以及
基于所述两亲性三嵌段共聚物中的重复单元的总摩尔数计5摩尔％至30摩尔％的C嵌段，其中所述C嵌段中的大于30摩尔％的重复单元为式(IV-A)或式(IV-B)的氢化硅烷化1,2-丁二烯重复单元
其中
R1为烷基或芳基；
R2为式–O-(R3-O)p-R4的基团；并且
R3为烷亚基；
R4为烷基；
y为等于1或2的整数；
p为在0至10范围内的整数；并且
星号(*)指示与所述两亲性三嵌段共聚物的另一重复单元或末端基团的结合位点。
2.根据权利要求1所述的两亲性三嵌段共聚物，其中所述A嵌段还包含至多10摩尔％的式(I-B)的重复嵌段。
3.根据权利要求1或2所述的两亲性三嵌段共聚物，其中所述B嵌段包含来源于式(III-A)或(III-B)的苯乙烯型单体的重复单元
其中
R5为烷基；并且
x为在0至3范围内的整数。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的两亲性三嵌段共聚物，其中所述C嵌段中的至少70摩尔％的重复单元为式(IV-A)或式(IV-B)的氢化硅烷化1,2-丁二烯重复单元。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的两亲性三嵌段共聚物，其中所述两亲性三嵌段共聚物中的所述B嵌段中的重复单元的摩尔％与所述两亲性三嵌段共聚物中的所述A嵌段中的重复单元的摩尔％的比率在3:1至1:1的范围内。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的两亲性三嵌段共聚物，其中所述两亲性三嵌段共聚物具有在20,000道尔顿至500,000道尔顿范围内的数均分子量。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的两亲性三嵌段共聚物，其中所述两亲性三嵌段共聚物为ABC三嵌段共聚物。
8.一种制品，所述制品包含根据权利要求1至6中任一项所述的两亲性三嵌段共聚物。
9.根据权利要求8所述的制品，其中所述制品为多孔膜。
10.根据权利要求9所述的制品，其中平均孔径在1纳米至500纳米的范围内。
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