[发明专利]氮化物半导体衬底及其制造方法

权利要求书

1.一种在硅单晶衬底上外延生长氮化物半导体的半导体衬底，其中在所述硅单晶衬底中存在错配位错。

2.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述错配位错的密度在深度方向上达到最大值的位置位于距所述硅单晶衬底与所述氮化物半导体之间的界面1.5μm以上的位置处。

3.一种用于制造根据权利要求1或2所述的半导体衬底的方法，所述方法包括以下步骤：

通过使用抛光硅晶片作为衬底且在所述抛光硅晶片的主表面上气相沉积硅单晶薄膜来制造外延晶片，所述硅单晶薄膜具有与所述抛光硅晶片的晶格常数不同的晶格常数，所述晶格常数的差异在与所述衬底的界面处引起错配位错；及

通过使用所述外延晶片作为所述硅单晶衬底来外延生长氮化物半导体。

4.一种用于制造根据权利要求1或2所述的半导体衬底的方法，所述方法包括以下步骤：

当硅外延层待气相沉积在抛光硅晶片上时，通过生长所述外延层以夹置具有与所述外延层的晶格常数不同的晶格常数的外延层来制造外延晶片，借此归因于所述晶格常数的差异而在所述外延层中引起错配位错；及

通过使用所述外延晶片作为所述硅单晶衬底来外延生长氮化物半导体。

5.一种用于制造根据权利要求1或2所述的半导体衬底的方法，所述方法包括以下步骤：

将磷、硼、锑、碳或锗的一或多个物种离子植入到抛光硅晶片中至高浓度；

执行恢复热处理；

通过使用所述晶片作为衬底来执行外延生长以在与所述衬底的界面处引起错配位错；及

通过使用所述外延生长晶片作为所述硅单晶衬底来外延生长氮化物半导体。