[发明专利]制造用于锂二次电池的负极的方法

权利要求书

1.一种制造用于锂二次电池的负极的方法，所述方法包括：

通过在包括基板和保护层的转移膜的保护层上形成锂层以制备锂转移膜的步骤；以及

制备其中在集电器上形成有负极活性材料层的负极以及将所述锂转移膜粘合和辊压以使得所述锂层面向所述负极活性材料层的转移步骤，

其中所述保护层包括丙烯酸树脂，并且在所述转移步骤中，所述锂层和所述保护层被转移到所述负极活性材料层上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述丙烯酸树脂是选自由丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸异丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸异丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸异丁酯、甲基丙烯酸正己酯、和甲基丙烯酸月桂酯构成的组中的一种或多种单体组成的聚合物、或者是由选自上述组中的两种或更多种单体组成的共聚物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述转移膜的所述保护层的厚度为0.01μm至5μm。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述转移膜的所述基板和所述保护层之间插置剥离层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述剥离层包括选自由以下各者构成的组中的一种或多种：有机硅链接枝键合到聚酯主链的有机硅改性的聚酯、有机硅、三聚氰胺和氟。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述制备锂转移膜的步骤中，通过选自由热蒸发沉积(Thermal evaporation deposition)、蒸发沉积(evaporation deposition)、化学沉积(chemical deposition)、化学气相沉积(CVD,chemical vapor deposition)和物理气相沉积(physical vapor deposition)构成的组中的一种方法来沉积并形成所述锂层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述制备锂转移膜的步骤中，所述锂层的厚度为0.01μm至20μm。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述转移步骤之后的移除所述基板的步骤。

9.根据权利要求6所述的方法，其中通过使用图案掩模沉积所述锂层而使所述锂层具有图案。

10.一种用于锂二次电池的负极，所述负极是通过权利要求1所述的方法来制备的。