[发明专利]基于SiC和Si的混合部件和制造方法在审
申请号: | 202080036143.1 | 申请日: | 2020-12-17 |
公开(公告)号: | CN113874338A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 中本真由美 | 申请(专利权)人: | 飞罗得材料技术股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/653 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 sic si 混合 部件 制造 方法 | ||
1.一种基于SiC和Si的混合部件,其中,
在多晶结构的Si部件的内部分散有片状或粉状的SiC部件。
2.如权利要求1所述的基于SiC和Si的混合部件,其表面形成有SiC层。
3.一种基于SiC和Si的混合部件的制造方法,其具有:
准备制成片状或粉状的Si部件和制成片状或粉状的SiC部件的准备工序、
使基于所述Si部件和所述SiC部件的混合材料升温至所述Si部件的熔融温度的加热工序、以及
使熔融的所述Si部件在包含所述SiC部件的状态下再结晶化的冷却工序。
4.如权利要求3所述的基于SiC和Si的混合部件的制造方法,其进一步具有:
只将所述准备工序中准备的所述Si部件和所述SiC部件放入指定的容器,在该指定的容器内使所述Si部件和所述SiC部件在固体的状态下混合的搅拌工序。
5.如权利要求3或4所述的基于SiC和Si的混合部件的制造方法,其中,
在所述加热工序中,利用所述Si部件的对流而使所述SiC部件分散在所述Si部件中。
6.如权利要求3~5中任一项所述的基于SiC和Si的混合部件的制造方法,其在所述冷却工序之后,具有在表面上形成SiC涂层的表面处理工序。
7.如权利要求3~6中任一项所述的基于SiC和Si的混合部件的制造方法,其中,
在所述加热工序中,在熔融所述Si部件时对其施加振动并进行脱气处理。
8.如权利要求3~7中任一项所述的基于SiC和Si的混合部件的制造方法,其中,
在所述冷却工序中,以基于混合部件的形态中截面积最大、热容量最大的部位而设定的降温速度进行再结晶化。
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