[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一基板，其包括包含第一有源元件的第一元件层、布置在所述第一元件层上的第一配线层和布置在所述第一配线层上的包含导电材料的屏蔽层；以及

第二基板，其包括布置在所述屏蔽层上的包含第二有源元件的第二元件层和布置在所述第二元件层上的第二配线层，其中

所述第一基板和所述第二基板彼此层叠。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一基板进一步地包括布置在所述第一元件层下方的光电转换部。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中

在所述屏蔽层中设置有开口，并且

所述半导体装置进一步地包括连接配线，所述连接配线贯穿所述开口并且将所述光电转换部或所述第一配线层与所述第二配线层连接。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述屏蔽层的位于所述开口处的一部分与所述连接配线同轴地并且沿着所述连接配线的纵向方向延伸，以便隔着层间绝缘膜包围所述连接配线的外周表面。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中第三基板层叠在所述第二基板上。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体装置构成固态摄像装置。

7.一种半导体装置的制造方法，包括：

在包含第一有源元件的第一元件层上形成第一配线层；

通过在所述第一配线层上形成包含导电材料的屏蔽层来形成包括所述第一元件层、所述第一配线层和所述屏蔽层的第一基板；

制备其中形成有包含第二有源元件的第二元件层的第二基板；

通过将所述第二基板的所述第二元件层侧接合到所述第一基板的所述屏蔽层侧来在所述屏蔽层上形成所述第二元件层；以及

在所述第二元件层上形成第二配线层。

8.一种半导体装置，包括：

第一基板，其包括包含第一有源元件的第一元件层和布置在所述第一元件层上的第一配线层；以及

第二基板，其包括包含第二有源元件的第二元件层和布置在所述第二元件层上的第二配线层，其中

所述第一基板和所述第二基板彼此层叠，并且所述半导体装置在所述第一基板与所述第二基板之间进一步地包括包含导电材料的电磁屏蔽层。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述电磁屏蔽层连接到接地电位。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中当在平面图中观察时，所述电磁屏蔽层布置成至少覆盖所述第一有源元件。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述导电材料包含钨、钛、氮化钛、碳和多晶硅中的任一种。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述电磁屏蔽层包括设置在所述导电材料的上表面和下表面上的防扩散层。

13.一种半导体装置的制造方法，包括：

通过在包含第一有源元件的第一元件层上形成第一配线层来形成包括所述第一元件层和所述第一配线层的第一基板；

制备第二基板；

在所述第一基板或所述第二基板上形成包含导电材料的电磁屏蔽层；

隔着所述电磁屏蔽层将所述第一基板与所述第二基板接合在一起；

在所述第二基板上形成包含第二有源元件的第二元件层；以及

在所述第二元件层上形成第二配线层。