[发明专利]用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法

权利要求书

1.一种晶体材料加工方法，包括：

提供包含碳化硅(SiC)的块状晶体材料；和

从所述块状晶体材料分离SiC晶片，使得所述SiC晶片形成从所述SiC晶片的硅面的松弛正弯，并且与使用表面下激光损坏图案从所述块状晶体材料形成所述SiC晶片有关的切割损失小于250微米(μm)。

2.根据权利要求1所述的晶体材料加工方法，其中所述切割损失小于175μm。

3.根据权利要求1所述的晶体材料加工方法，其中所述切割损失在包括100μm至250μm的范围内。

4.根据权利要求1所述的晶体材料加工方法，其中所述松弛正弯在大于0μm至50μm的范围内。

5.根据权利要求1所述的晶体材料加工方法，其中所述松弛正弯在大于0μm至40μm的范围内。

6.根据权利要求1所述的晶体材料加工方法，其中所述松弛正弯在大于0μm至15μm的范围内。

7.根据权利要求1所述的晶体材料加工方法，其中所述松弛正弯在包括30μm至50μm的范围内。

8.根据权利要求1所述的晶体材料加工方法，其中所述松弛正弯在包括8μm至16μm的范围内。

9.根据权利要求1所述的晶体材料加工方法，其中所述SiC晶片包含至少250的直径与厚度的比。

10.根据权利要求1所述的晶体材料加工方法，其中所述SiC晶片包含至少300的直径与厚度的比。

11.根据权利要求1所述的晶体材料加工方法，其中所述SiC晶片包含至少400的直径与厚度的比。

12.根据权利要求1所述的晶体材料加工方法，其中所述SiC晶片包含范围包括250至1020的直径与厚度的比。

13.根据权利要求1所述的晶体材料加工方法，其中所述SiC晶片包含n-型导电SiC晶片。

14.根据权利要求1所述的晶体材料加工方法，其中所述SiC晶片包含半绝缘SiC晶片。

15.根据权利要求1所述的晶体材料加工方法，其中所述SiC晶片包含无意掺杂的SiC晶片。

16.根据权利要求1所述的晶体材料加工方法，其中所述SiC晶片的碳面包含对应于从所述硅面的所述松弛正弯的形状。

17.根据权利要求1所述的晶体材料加工方法，其中通过所述松弛正弯所限定的硅面的轮廓不同于所述SiC晶片的碳面的轮廓。

18.一种晶体材料加工方法，包括：

提供包含碳化硅(SiC)的块状晶体材料；

在所述块状晶体材料内形成表面下激光损坏图案；和

沿所述表面下激光损坏图案从所述块状晶体材料分离SiC晶片，使得所述SiC晶片包含从所述SiC晶片的硅面的松弛正弯。

19.根据权利要求18所述的晶体材料加工方法，其中所述松弛正弯在大于0μm至50μm的范围内。

20.根据权利要求18所述的晶体材料加工方法，其中所述松弛正弯在大于0μm至15μm的范围内。

21.根据权利要求18所述的晶体材料加工方法，其中所述松弛正弯在包括30μm至50μm的范围内。