[发明专利]气密端子有效
| 申请号： | 202080037165.X | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113853660B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 田中真;加藤比吕志;森川哲志;奥野晃 | 申请（专利权）人： | 肖特（日本）株式会社 |
| 主分类号： | H01C1/144 | 分类号： | H01C1/144 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡秋瑾;宋俊寅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 气密 端子 | ||
【权利要求书】：
1.一种气密端子，其特征在于，包括：
具有贯通孔的低电阻导体的金属外环；
插通所述贯通孔的低电阻导体的引线；以及
配置在所述贯通孔中且封接所述金属外环与所述引线的高膨胀玻璃的绝缘构件，
所述低电阻导体由铜或铜合金形成，
所述绝缘构件具有扩散带，该扩散带是在与所述金属外环和所述引线两者的界面相接的过渡区域的玻璃中扩散了低电阻导体离子而形成的。
2.如权利要求1所述的气密端子，其特征在于，
所述扩散带呈浅粉色至深红色。
3.如权利要求1或2所述的气密端子，其特征在于，
所述扩散带中所扩散的所述低电阻导体离子是铜离子。
4.如权利要求3所述的气密端子，其特征在于，
所述铜离子是一价铜离子。
5.如权利要求1或2所述的气密端子，其特征在于，
所述绝缘构件的热膨胀系数在17±6ppm/K的范围内。
6.如权利要求1或2所述的气密端子，其特征在于，
所述绝缘构件由磷酸盐玻璃形成。
7.如权利要求1或2所述的气密端子，其特征在于，
所述绝缘构件采用能够在低于900℃的封接温度下进行封接的材料。
8.如权利要求1或2所述的气密端子，其特征在于，
在所述金属外环和所述引线的露出表面实施镀敷。
9.如权利要求8所述的气密端子，其特征在于，
所述镀敷由选自镀镍、镀镍磷、镀镍硼、镀金中的至少任意一种组成。
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