[发明专利]具有改进的探测结果的光电探测器在审
申请号: | 202080037212.0 | 申请日: | 2020-05-15 |
公开(公告)号: | CN113841256A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | R·梅尔海姆;R·布鲁克纳;M·雅内尔;K·莱奥 | 申请(专利权)人: | 塞勒锐科有限公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/102 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘盈 |
地址: | 德国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改进 探测 结果 光电 探测器 | ||
1.用于光谱选择性地探测电磁辐射的光电探测器(1-8),所述光电探测器具有用于探测电磁辐射的第一波长的第一光电结构元件(100-106、108),所述第一光电结构元件具有:
-第一光腔,所述第一光腔通过两个彼此间隔开距离的平行的反射镜层(11、11a、11’、12、12a)形成,第一光腔的长度(L、La)设计为,使得对于第一波长而言在第一光腔中形成与所述第一波长相配设的i阶的谐振波(13、13a),和
-至少一个设置在第一光腔中的探测单元(21、21a、22、22a、23),每个探测单元(21、21a、22、22a、23)都包含一个光活性层(210、220、230),所述光活性层(210、220、230)分别这样设置在第一光腔内,使得所述谐振波(13、13a)的恰好一个振荡最大值位于所述光活性层(210、220、230)内,
其中,所述第一光电结构元件(100-106、108)的谐振波(13、13a)的阶数大于1,
其特征在于,
-在第一光腔中,至少一个光学吸收性的中间层(30、31)分别设置为,使得谐振波(13)的振荡波节位于所述吸收性的中间层(30、31)中,所述吸收性的中间层(30、31)适合于吸收在第一光腔内的特定电磁波的这样多的能量,使得所述特定电磁波被消除,所述特定电磁波的波长不同于与第一波长相配设的谐振波长,和/或
-在第一光腔中设置有至少一个光学透明的触点层(50),所述光学透明的触点层直接邻接于所述至少一个探测单元(21、22)中的一个探测单元,所述光学透明的触点层由能导电的材料制成并且适合于与评估单元导电地连接,所述评估单元适合于对由第一光电结构元件(104)的所述至少一个探测单元产生的电信号进行评估。
2.根据权利要求1所述的光电探测器(1-8),其特征在于,至少一个设置在所述第一光腔中的探测单元(21、21a、22、22a、23)还包含第一电荷传输层(211、221、231)和第二电荷传输层(212、222、232),在所述第一电荷传输层与所述第二电荷传输层之间设置有所述光活性层(210、220、230),第一电荷传输层(211、221、231)、光活性层(210、220、230)和第二电荷传输层(212、222、232)沿着第一光腔的长度彼此相叠地设置。
3.根据权利要求1或2所述的光电探测器(1、3-8),其特征在于,设置在所述第一光腔中的探测单元(21、21a、22、22a、23)的数量对应于所述谐振波(13a、13b)的阶数。
4.根据前述权利要求中任一项所述的光电探测器(2),其特征在于,至少一个光学吸收性的中间层(30)设置在所述第一光腔中并且所述至少一个光学吸收性的中间层(30)中的至少一个中间层直接邻接于所述至少一个探测单元(21)中的一个探测单元,所述至少一个光学吸收性的中间层中的所述至少一个中间层由能导电的材料制成并且适合于与评估单元导电地连接,所述评估单元适合于对由第一光电结构元件(101)的所述至少一个探测单元(21)产生的电信号进行评估。
5.根据前述权利要求中任一项所述的光电探测器(6),其特征在于,所述第一光电结构元件(105)具有至少一个外部触点(60),所述外部触点邻接于所述至少一个探测单元(21、22)中的一个探测单元的外表面,所述外部触点由能导电的材料制成并且适合于与评估单元导电地连接,所述评估单元适合于对由第一光电结构元件(105)的所述至少一个探测单元产生的电信号进行评估。
6.根据前述权利要求中任一项所述的光电探测器(2、5、6),其特征在于,在所述第一光腔中设置有至少一个光学透明的间距保持层(40),所述间距保持层设置在所述反射镜层(11、11a、11’、12、12a)中的一个反射镜层与相邻于该反射镜层(11、11a、11’、12、12a)的探测单元(21、22)之间。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的