[发明专利]带支撑片的膜状烧成材料、辊体、层叠体及装置的制造方法

说明书

本发明提供一种带支撑片的膜状烧成材料100，其具备在基材膜3上具有粘着剂层4的支撑片2与设置在粘着剂层4上的膜状烧成材料1，所述带支撑片的膜状烧成材料100用于将所述膜状烧成材料贴附于在外周部具有环状凸部的晶圆的具有所述环状凸部的一面侧的内周部，膜状烧成材料1的直径为所述晶圆的内周部的直径以下。

技术领域

本发明涉及一种带支撑片的膜状烧成材料、辊体、层叠体及装置的制造方法。本申请基于2019年5月24日在日本提出申请的日本特愿2019-097544号主张优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

近年来，随着汽车、空调、个人电脑等的高电压·高电流化，对其中所搭载的功率半导体元件(功率器件)的需要不断增长。由于功率半导体元件在高电压·高电流下使用的这一特征，半导体元件的发热容易成为问题。

以往，为了对由半导体元件产生的热进行散热，有时会在半导体元件的周围安装散热器。然而，若散热器与半导体元件之间的接合部的导热性不良，则将妨碍有效的散热。

作为导热性优异的接合材料，例如专利文献1中公开了一种混合有特定的加热烧结性金属颗粒、特定的高分子分散剂及特定的挥发性分散介质的膏状金属微粒组合物。认为若将该组合物烧结，则会形成导热性优异的固态金属。

然而，当烧成材料如专利文献1所示为膏状时，难以使所涂布的膏的厚度均一化，有缺乏厚度稳定性的倾向。

因此，本申请的发明人为了解决厚度稳定性的问题，想到了将以往制成膏状组合物而提供的烧成材料制成膜状而提供。为了将烧成材料制成膜状，只要在烧成材料中掺合粘结剂成分并形成为膜状即可。

这样的膜状烧成材料例如能够用于将半导体晶圆切割并单颗化(singulation)而得到的芯片与基板之间的烧结接合。此外，只要在膜状烧成材料的一侧(表面)设置支撑片，就能够用作将半导体晶圆单颗化为芯片时所使用的切割片。进一步，通过使用刀片等将其与半导体晶圆一同单颗化，能够加工成形状与芯片相同的膜状烧成材料。

另一方面，随着近年来半导体芯片的薄型化的发展，要求将以往的厚度为350μm左右的晶圆薄化至50～100μm或者薄化至该范围以下。然而，随着半导体晶圆变薄，加工或搬运时发生破损的风险也随之升高。

因此，提出了对晶圆进行背面研磨时，仅研磨背面内周部，并在背面外周部留下环状凸部以维持晶圆的刚性的方法(专利文献2～4)。由于环状凸部的刚性相对较高，因此研磨成上述形态的晶圆可稳定地搬运、保管，且加工时的破损有所减少。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-111800号公报

专利文献2：日本特开2007-19379号公报

专利文献3：日本特开2007-266352号公报

专利文献4：日本特开2007-287796号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

然而，将带支撑片的膜状烧成材料应用于专利文献2～4所记载的半导体晶圆时，有时无法将带支撑片的膜状烧成材料适当地贴附于晶圆背面。

本发明是为了解决上述问题而进行的，其目的在于，提供一种带支撑片的膜状烧成材料，其能够将膜状烧成材料适当地贴附于在外周部具有环状凸部的晶圆的具有所述环状凸部的一面侧的内周部。

解决技术问题的技术手段

即，本发明具有以下方案。

1一种带支撑片的膜状烧成材料，其具备在基材膜上具有粘着剂层的支撑片与设置在所述粘着剂层上的膜状烧成材料，

所述带支撑片的膜状烧成材料用于将所述膜状烧成材料贴附于在外周部具有环状凸部的晶圆的具有所述环状凸部的一面侧的内周部，

所述膜状烧成材料的直径为所述晶圆的所述内周部的直径以下。