[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

支撑部件；

金属部件，其具有在厚度方向上分离的第一主面及第一背面，上述第一背面与上述支撑部件对置且接合于上述支撑部件；

接合层，其接合上述支撑部件和上述金属部件；

半导体元件，其与上述第一主面对置，且接合于上述金属部件；以及

密封部件，其覆盖上述支撑部件、上述金属部件、上述接合层及上述半导体元件，

上述金属部件包括由第一金属材料构成的第一金属体及由第二金属材料构成的第二金属体，而且具有上述第一金属体与上述第二金属体的边界，

上述第二金属材料的线膨胀系数比上述第一金属材料的线膨胀系数小。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一金属体包括多个第一金属层，

上述第二金属体包括多个第二金属层，

上述金属部件形成上述多个第一金属层和上述多个第二金属层在上述厚度方向上交替层叠的层叠构造。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述多个第一金属层包括上述金属部件中的上述第一主面侧的表层及上述第一背面侧的表层。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，

上述多个第一金属层的各厚度比上述多个第二金属层的各厚大。

5.根据权利要求2～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述金属部件具有被上述第一主面及上述第一背面夹着且与上述第一主面及上述第一背面相连的侧面，还形成有从上述侧面朝向上述金属部件的内方伸出的裂缝。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

上述裂缝通过互相连接的上述第一金属层和上述第二金属层的局部剥离而形成。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

在上述裂缝填充有上述密封部件。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一金属材料包括铜。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述第二金属材料包括钼。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述支撑部件包括绝缘基板，

上述绝缘基板具有在上述厚度方向上分离的第二主面及第二背面，而且上述第二主面与上述金属部件对置。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

上述支撑部件还包括配线层，

上述配线层具有在上述厚度方向上分离的第三主面及第三背面，而且上述第三背面接合于上述绝缘基板，

上述金属部件的上述第一背面与上述第三主面对置且接合于上述配线层。

12.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其特征在于，

上述第二金属材料的线膨胀系数是比上述第一金属材料的线膨胀系数接近上述绝缘基板的线膨胀系数的值。

13.根据权利要求10～12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述绝缘基板的构成材料为陶瓷。

14.根据权利要求10～13中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述绝缘基板的背面从上述密封部件露出。

15.根据权利要求1～14中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述接合层是焊料。