[发明专利]三电平功率模块

权利要求书

1.一种功率模块(2)，包括：

-模制封装件(4)；

-从该模制封装件(4)的第一侧(40)突出的三个功率端子(6，8，10)，其中，这些功率端子(6，8，10)包括正极DC端子(6)、中性端子(8)和负极端子(10)；

-从该模制封装件(4)的第二侧(42)突出的相输出功率端子(12)，

其中，该功率模块(2)是包括从该模制封装件(4)的第二侧(42)突出的多个控制引脚(14，16，18，20，22，24，26，28，30，32，34，36)的三电平功率模块，其特征在于：

a)金属化区域(50)电连接到该中性端子(8)；

b)另一个金属化区域(48)电连接到该相输出功率端子(12)；

c)这些金属化区域(48，50)是分离的金属化区域(48，50)，这些分离的金属化区域的形状被设置为具有沿着轴线(X)延伸的纵向轴线的长形结构，并且

d)这些金属化区域(48，50)沿着该轴线(X)延伸，扩展彼此。

2.根据权利要求1所述的功率模块(2)，其特征在于，从该模制封装件(4)的第一侧(40)突出的这三个功率端子(6，8，10)被布置的方式为使得外部端子(6，10)分别形成该正极DC端子(6)和该负极DC端子(10)，并且内部端子形成中性端子(8)。

3.根据权利要求1或2所述的功率模块(2)，其特征在于，该功率模块(2)包括中性点箝位(NPC)-1拓扑。

4.根据权利要求1或2所述的功率模块(2)，其特征在于，该功率模块(2)包括NPC-2拓扑。

5.根据前述权利要求1至3之一所述的功率模块(2)，其特征在于，该功率模块(2)包括有源中性点箝位(ANPC)拓扑。

6.根据前述权利要求之一所述的功率模块(2)，其特征在于，该功率模块(2)包括布置有一个或多个半导体开关(T₁，T₂，T₃，T₄，S_a1，S_a2，S_a3，S_a4，S_a5，S_a6)的至少一个金属化区域(44，46，48，50，52，54，56)，其中，这些半导体开关(T₁，T₂，T₃，T₄，S_a1，S_a2，S_a3，S_a4，S_a5，S_a6)中的至少两个半导体开关形成半桥电路。

7.根据前述权利要求之一所述的功率模块(2)，其特征在于，此功率模块(2)包括彼此间隔开的多个金属化区域(44，46，48，50，52，54，56)，其中，一个或多个半导体开关(T₁，T₂，T₃，T₄，S_a1，S_a2，S_a3，S_a4，S_a5，S_a6)布置在这些金属化区域(44，46，48，50，52，54，56)中的至少一些金属化区域上。

8.根据权利要求7所述的功率模块(2)，其特征在于，这些金属化区域(44，46，48，50，52，54，56)形成为彼此平行地延伸的长形结构。

9.根据权利要求8所述的功率模块(2)，其特征在于，这些金属化区域(44，46，48，50，52，54，56)被布置成五行。

10.根据权利要求9所述的功率模块(2)，其特征在于，中心(最中间)行包括两个分离的金属化区域(48，50)。