[发明专利]纳米网层叠体、导电电路的制造方法、以及纳米网粘贴套件在审
| 申请号： | 202080038821.8 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113874207A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 豊栖健太郎;村瀬友英;小野祐树;小出史代;小森尧 | 申请（专利权）人： | 三菱化学株式会社 |
| 主分类号： | B32B27/02 | 分类号： | B32B27/02;B32B27/30;B32B27/08;B32B27/32;H01B5/14;A61B5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 层叠 导电 电路 制造 方法 以及 粘贴 套件 | ||
1.一种纳米网层叠体，其是网状基材(A)和以聚乙烯醇类树脂作为主成分的纳米网层(B)相邻地层叠而成的。
2.根据权利要求1所述的纳米网层叠体，其在网状基材(A)上具有以聚乙烯醇类树脂作为主成分的纳米网层(B)和导电性物质层(C)。
3.根据权利要求1或2所述的纳米网层叠体，其在网状基材(A)上依次层叠有以聚乙烯醇类树脂作为主成分的纳米网层(B)、导电性物质层(C)、以及保护它们的保护层。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的纳米网层叠体，其中，
所述网状基材(A)的开孔率为55～80％。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的纳米网层叠体，其是开孔率为55～80％的网状基材(A)和纳米网层(B1)相邻地层叠而成的，所述纳米网层(B1)以聚乙烯醇作为主成分且含有化妆品成分或医药成分。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的纳米网层叠体，其中，
所述网状基材(A)的开孔率为10～45％。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的纳米网层叠体，其是开孔率为10～45％的网状基材(A)和纳米网层(B1)相邻地层叠而成的，所述纳米网层(B1)以聚乙烯醇作为主成分且含有化妆品成分或医药成分。
8.一种导电电路的制造方法，该方法包括：
将权利要求1～7中任一项所述的纳米网层叠体放置到所期望的位置的步骤、以及
使所述纳米网层叠体与醇水溶液或水接触的步骤。
9.一种纳米网粘贴套件，该套件包含：
权利要求1～7中任一项所述的纳米网层叠体、和
负载有醇水溶液或水的负载体。
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