[发明专利]InP量子点前体的制造方法和InP系量子点的制造方法

说明书

本发明为InP量子点前体的制造方法，是从磷源和铟源制造InP量子点前体的方法，其中，作为磷源，使用下述式(2)所示的化合物的含量为0.3摩尔％以下的下述式(1)所示的硅烷基膦化合物。并且，本发明还提供InP系量子点的制造方法，其中，将InP量子点前体以200℃以上350℃以下的温度进行加热，得到InP量子点。(R的定义参照说明书。)

技术领域

本发明涉及InP量子点前体的制造方法和使用该InP量子点前体的InP系量子点的制造方法。

背景技术

近年来，作为发光材料进行着量子点的开发。作为代表性的量子点，从优异的发光特性等方面来考虑，进行着CdSe、CdTe、CdS等的镉系量子点的开发。但是，由于镉的毒性和环境负荷高，所以期待着无镉的量子点的开发。

作为无镉的量子点的一种，可以列举InP(磷化铟)系量子点。在InP系量子点的制造中，作为其磷源，大多使用膦、氨基膦化合物、硅烷基膦化合物等作为原料。这些之中，作为硅烷基膦化合物，提出了使用三(三甲基硅烷基)膦等的叔膦的方法(例如专利文献1～3)。

专利文献1～3中记载的方法是用于直接获得作为纳米颗粒的InP量子点的方法，也提出了从将InP量子点进一步细分的具有特定的极少数的构成原子数的InP量子点前体获得InP量子点的方法(例如非专利文献1～3)。该InP量子点前体，根据构成原子数，如非专利文献1～3所述，也称为幻数团簇(magic size cluster)，在含有它的液体中显示优异的稳定性，因此，具有容易得到粒径分布窄的量子点的优点。以幻数团簇为首的InP量子点前体，仅通过对其实施加热等的简单的处理就能够得到量子点，因此，作为量子点的原料的便利性高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011－26472号公报

专利文献2：日本特开2015－209524号公报

专利文献3：日本特开2016－517454号公报

非专利文献

非专利文献1：Two-Step Nucleation and Growth of InP Quantum Dots viaMagic-Sized Cluster Intermediates,Chemistry of Materials(2015),27(4),1432-1441

非专利文献2：Templated Growth of InP Nanocrystals with a PolytwistaneStructure,Angewandte Chemie,International Edition(2018),57(7),1908-1912

非专利文献3：Magic size InP and InAs clusters:synthesis,characterization and shell growth,Chemical Communications(Cambridge,UnitedKingdom)(2017),53(17),2626-2629

发明内容

发明所要解决的课题

然而，在使用现有的叔硅烷基膦化合物制造以由In和P构成的幻数团簇为首的InP量子点前体、经过该InP量子点前体制造InP系量子点的情况下，存在着所得到的InP系量子点的粒径分布变宽、发光峰的半峰全宽(Full Width at Half Maximum，以下也称为FWHM)变大的问题。

用于解决课题的技术方案