[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其具有上表面和下表面，且包含氧；

氢化学浓度的第一峰，其配置在所述半导体基板的所述下表面侧；以及

平坦部，其配置于比所述第一峰更靠所述半导体基板的所述上表面侧的位置，并包含氢施主，且该平坦部的所述半导体基板的深度方向上的施主浓度分布实质上为平坦，

表示所述氧的氧化学浓度中有助于生成所述氢施主的所述氧化学浓度的比例的氧贡献率为1×10^-5以上且7×10^-4以下，

在所述平坦部，有助于生成所述氢施主的所述氧的浓度低于所述氢化学浓度，

所述平坦部的氢施主浓度为2×10¹²/cm³以上且5×10¹⁴/cm³以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板包含体施主，

所述平坦部的施主浓度高于体施主浓度。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

将所述平坦部的氧化学浓度乘以所述氧贡献率而得的值与所述平坦部的空位浓度之和设为所述氢施主浓度的第一值，

将从所述平坦部的施主浓度减去所述体施主浓度而得的差设为所述氢施主浓度的第二值，

所述氢施主浓度的第一值相对于所述氢施主浓度的第二值的比为0.1以上且10以下。

4.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其具有上表面和下表面，且包含氧；

氢化学浓度的第一峰，其配置在所述半导体基板的所述下表面侧；以及

平坦部，其配置于比所述第一峰更靠所述半导体基板的所述上表面侧的位置，并包含氢施主，且该平坦部的所述半导体基板的深度方向上的施主浓度分布实质上为平坦，

所述半导体基板包含体施主，

所述平坦部的施主浓度高于体施主浓度，

将氧贡献率乘以所述平坦部的氧化学浓度而得的值与所述平坦部的空位浓度之和设为氢施主浓度的第一值，所述氧贡献率表示所述氧的氧化学浓度中有助于生成所述氢施主的所述氧化学浓度的比例，

将从所述平坦部的施主浓度减去所述体施主浓度而得的差设为所述氢施主浓度的第二值，

所述氢施主浓度的第一值相对于所述氢施主浓度的第二值的比为0.1以上且10以下。

5.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其具有上表面和下表面，且包含氧和碳；

氢化学浓度的第一峰，其配置在所述半导体基板的所述下表面侧；以及

平坦部，其配置于比所述第一峰更靠所述半导体基板的所述上表面侧的位置，并包含氢施主，且该平坦部的所述半导体基板的深度方向上的施主浓度分布实质上为平坦，

所述半导体基板包含体施主，

所述平坦部的施主浓度高于体施主浓度，

将氧贡献率乘以所述平坦部的氧化学浓度而得的值、碳贡献率乘以所述平坦部的碳化学浓度而得的值与所述平坦部的空位浓度之和设为氢施主浓度的第三值，所述氧贡献率表示所述氧的氧化学浓度中有助于生成所述氢施主的所述氧化学浓度的比例，所述碳贡献率表示所述碳的碳化学浓度中有助于生成所述氢施主的所述碳化学浓度的比例，

将从所述平坦部的施主浓度减去所述体施主浓度而得的差设为所述氢施主浓度的第二值，

所述氢施主浓度的第三值相对于所述氢施主浓度的第二值的比为0.1以上且10以下。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

还具备配置在所述半导体基板的所述上表面侧的氢或氦的化学浓度的第二峰，

所述平坦部配置于比所述第二峰更靠所述半导体基板的所述下表面侧的位置。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

表示所述氢化学浓度中有助于生成所述氢施主的所述氢化学浓度的比例的氢贡献率为0.001以上且0.3以下。