[发明专利]太阳能电池和太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其包括具有被布置成接收入射光的正面和背面的硅晶片以及形成在所述硅晶片的正面或背面上的第一掺杂半导体层，所述太阳能电池包括：

电介质隧道层，其沉积在所述硅晶片的与所述形成有所述第一掺杂半导体层的面相对的一面上；

正面第二掺杂半导体层，其沉积在所述硅晶片的正面上；和

背面第二掺杂半导体层，其沉积在所述硅晶片的背面上，所述正面第二掺杂半导体层和所述背面第二掺杂半导体层各自具有与所述第一掺杂半导体层相反极性的掺杂，

其中所述第一掺杂半导体层与所述正面第二掺杂半导体层或所述背面第二掺杂半导体层配合以形成隧道结，并且所述电介质隧道层与所述背面第二掺杂半导体层或所述正面第二掺杂半导体层配合以形成钝化接触。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述正面第二掺杂半导体层和所述背面第二掺杂半导体层是在单个沉积工序中使用低压化学气相沉积法(LPCVD)而沉积的。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其还包括沉积在所述第一掺杂半导体层上的层间电介质隧道层，其中所述层间电介质隧道层夹在所述第一掺杂半导体层与所述正面第二掺杂半导体层或所述背面第二掺杂半导体层之间以形成所述隧道结。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中所述层间电介质隧道层和所述电介质隧道层是在单个沉积工序中使用LPCVD而沉积的。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的太阳能电池，其中所述第一掺杂半导体层是使用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)或低压化学气相沉积法(LPCVD)而沉积的。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其还包括沉积在所述硅晶片的表面上的表面电介质隧道层，所述表面电介质隧道层夹在所述硅晶片的表面与所述第一掺杂半导体层之间，其中所述表面电介质隧道层和所述第一掺杂半导体层形成另一钝化接触。

7.根据权利要求5或6所述的太阳能电池，其中所述第一掺杂半导体层包括p型掺杂多晶硅层，并且所述正面第二掺杂半导体层和所述背面第二掺杂半导体层各自包括n型掺杂多晶硅层。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的太阳能电池，其中所述第一掺杂半导体层是通过在所述硅晶片中扩散或注入离子而形成的。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的太阳能电池，其还包括沉积在所述正面第二掺杂半导体层和所述背面第二掺杂半导体层中的至少一个上的接触形成层。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的太阳能电池，其还包括形成在所述硅晶片的背面上的背面金属触点，所述背面金属触点与所述背面第二掺杂半导体层电接触。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中所述背面金属触点是使用丝网印刷或在线镀敷或蒸发而形成的。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的太阳能电池，其还包括形成在所述硅晶片的正面上的正面金属触点，所述正面金属触点与所述正面第二掺杂半导体层电接触。

13.根据权利要求12所述的太阳能电池，其中所述正面金属触点是使用丝网印刷或在线镀敷或蒸发而形成的。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的太阳能电池，其中所述硅晶片的正面被纹理化。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的太阳能电池，其中所述硅晶片的背面被纹理化。