[发明专利]基片检查装置、基片检查系统和基片检查方法在审
申请号: | 202080039553.1 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN113994255A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 岩永修儿;西山直 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84;G03F7/20;H01L21/027;H01L21/66;G01N21/956;G01N21/95 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;王昊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 装置 系统 方法 | ||
提供一种对基片进行检查的基片检查装置,包括:取得部,其基于图像估计模型和经基片处理装置处理前的检查对象基片的拍摄图像,取得经所述基片处理装置处理后的所述检查对象基片的估计图像,其中,所述图像估计模型是使用多个基片各自的经所述基片处理装置处理前的拍摄图像和处理后的拍摄图像通过机器学习而生成的;和判断部,其基于经所述基片处理装置处理后的所述检查对象基片的拍摄图像和所述估计图像,判断该检查对象基片有无缺陷。
技术领域
本公开涉及基片检查装置、基片检查系统和基片检查方法。
背景技术
专利文献1公开了一种基片处理系统中的晶圆的检查方法,其中该基片处理系统包括对晶圆实施处理的多个处理装置。该检查方法中,拍摄由处理装置实施处理前的晶圆的表面来取得第一基片图像,并从第一基片图像提取特征量。接着,从存储有多个作为缺陷检查基准的基准图像的存储部中选择与从第一基片图像提取出的特征量对应的基准图像,其中,多个基准图像是分别对应于不同范围的特征量而设定的。然后,对由处理装置实施处理后的基片的表面进行拍摄来取得第二基片图像,基于所选择的基准图像和第二基片图像判断晶圆有无缺陷。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2016-212008号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本公开涉及的技术的目的在于,在对检查对象基片进行拍摄而得到拍摄图像从而基于该拍摄图像实施的缺陷检查中,进一步提高缺陷检测精度。
解决问题的技术手段
本公开的一个方面提供一种对基片进行检查的基片检查装置,包括:取得部,其基于图像估计模型和经基片处理装置处理前的检查对象基片的拍摄图像,取得经所述基片处理装置处理后的所述检查对象基片的估计图像,其中,所述图像估计模型是使用多个基片各自的经所述基片处理装置处理前的拍摄图像和处理后的拍摄图像通过机器学习而生成的;和判断部,其基于经所述基片处理装置处理后的所述检查对象基片的拍摄图像和所述估计图像,判断该检查对象基片有无缺陷。
发明效果
采用本公开,在对检查对象基片进行拍摄而得到拍摄图像从而基于该拍摄图像实施的缺陷检查中,能够进一步提高缺陷检测精度。
附图说明
图1是示意性地表示本实施方式的基片检查系统的概略结构的图。
图2是示意性地表示各基片处理系统的概略结构的俯视图。
图3是示意性地表示各基片处理系统的内部概略结构的主视图。
图4是示意性地表示各基片处理系统的内部概略结构的后视图。
图5是表示检查用摄像装置的概略结构的纵剖视图。
图6是表示检查用摄像装置的概略结构的横剖视图。
图7是示意性地表示摄像控制装置和整体控制装置的与基片检查相关的概略结构的框图。
图8是用于说明现有的缺陷检查之一例的概念图。
图9是用于说明本实施方式的缺陷检查之一例的概念图。
图10是按图像的每个部分表示实际的拍摄图像的像素值与估计图像的像素值的关系的图,其中表示了整个晶圆。
图11是按图像的每个部分表示实际的拍摄图像的像素值与估计图像的像素值的关系的图,其中仅表示了晶圆中央部。
图12是按图像的每个部分表示实际的拍摄图像的像素值与其他的估计图像的像素值的关系的图,其中表示了整个晶圆。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080039553.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于气溶胶供应装置的感应线圈
- 下一篇:调节稳定器平衡的方法及稳定器
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备