[发明专利]利用有机模板合成菱沸石

权利要求书

1.初合成微孔材料，所述初合成微孔材料具有CHA结构并且包含具有如下季铵阳离子的通用结构的第一有机结构导向剂(OSDA)：

其中R1为衍生或非衍生的C1-C5烷基链，且

R2为衍生或非衍生的C2-C5烷基链，

其中X为H(氢)或者一个或多个衍生或非衍生的C1-C3烷基取代基，所述C1-C3烷基取代基连接至构成六氢-1H-氮杂卓鎓环的碳原子的任何组合。

2.根据权利要求1所述的初合成微孔材料，其具有约10或更高的二氧化硅与氧化铝摩尔比(SAR)。

3.根据权利要求2所述的初合成微孔材料，其中所述SAR为10至50。

4.根据权利要求1所述的初合成微孔材料，其还包含至少一种第二OSDA，其中所述第一OSDA和所述第二OSDA是氢氧化物或选自氟化物、氯化物、溴化物、碘化物或它们的混合物的盐。

5.根据权利要求4所述的初合成微孔材料，其中所述第二OSDA包含能够形成具有菱沸石(CHA)结构的沸石的化合物，诸如胺、单季铵化合物或二季铵化合物。

6.根据权利要求5所述的微孔晶体材料，其中所述第二OSDA选自N,N,N-三甲基-1-金刚烷基铵、N,N-二甲基-N-乙基环己基铵、N,N-二甲基吡咯烷鎓、N,N-二甲基哌啶鎓、N,N-二甲基六氢氮杂卓鎓、苄基三甲基铵和它们的混合物。

7.根据权利要求1所述的初合成微孔材料，其中R1和R2中的至少一者为乙基。

8.根据权利要求1所述的初合成微孔材料，其中所述第一OSDA包含N,N-二乙基六氢-1H-氮杂卓鎓。

9.通过煅烧和任选铵交换根据权利要求1所述的初合成微孔材料制成的微孔晶体材料。

10.根据权利要求9所述的微孔晶体材料，其还包含至少一种催化活性金属。

11.根据权利要求10所述的微孔晶体材料，其中所述至少一种催化活性金属包含铜或铁。

12.根据权利要求11所述的微孔晶体材料，其中所述催化活性金属包含以1-10重量％的CuO存在的铜Cu。

13.根据权利要求11所述的微孔晶体材料，其中所述催化活性金属包含以0.2-10重量％的Fe₂O₃存在的铁Fe。

14.选择性催化还原排气中的氮氧化物的方法，所述方法包括使所述排气与包含根据权利要求11所述的微孔晶体材料的制品至少部分接触。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述至少部分接触在氨、脲、生成氨的化合物或烃化合物的存在下进行。

16.合成微孔晶体材料的方法，所述微孔晶体材料具有CHA结构并且包含具有如下季铵阳离子的通用结构的第一OSDA：

其中R1为衍生或非衍生的C1-C5烷基链，且

R2为衍生或非衍生的C2-C5烷基链，

其中X为H(氢)或者一个或多个衍生或非衍生的C1-C3烷基取代基，所述C1-C3烷基取代基连接至构成六氢-1H-氮杂卓鎓环的碳原子的任何组合。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述微孔晶体材料具有约10或更高的二氧化硅与氧化铝摩尔比(SAR)。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述SAR为10至50。