[发明专利]发光器件、发光装置、发光模块、电子设备及照明装置在审
申请号: | 202080040579.8 | 申请日: | 2020-05-18 |
公开(公告)号: | CN113906569A | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 渡部刚吉;植田蓝莉;大泽信晴;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张桂霞;杨思捷 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 装置 模块 电子设备 照明 | ||
提供一种发射近红外光且可见光不容易被看到的发光器件。本发明是一种在发光层中包含发光性有机化合物及主体材料的发光器件。发光器件的发射光谱的最大峰值波长为750nm以上且900nm以下。在发光器件中亮度A及辐射亮度B满足0≤A/B≤1。
技术领域
本发明的一个方式涉及一种发光器件、发光装置、发光模块、电子设备及照明装置。
注意,本发明的一个方式不局限于上述技术领域。作为本发明的一个方式的技术领域的一个例子,可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如,触摸传感器等)、输入输出装置(例如,触摸面板等)以及上述装置的驱动方法或制造方法。
背景技术
对利用有机电致发光(EL:Electro Luminescence)现象的发光器件(也称为有机EL器件、有机EL元件)的研究开发日益火热。有机EL器件的基本结构是在一对电极之间夹有包含发光性有机化合物的层(以下,也记载为发光层)的结构。通过将电压施加到该有机EL器件,可以获得来自发光性有机化合物的发光。
作为发光性有机化合物,例如可以举出能够将三重激发态转换为发光的化合物(也称为磷光性化合物、磷光材料)。在专利文献1中,作为磷光材料公开了以铱等为中心金属的有机金属配合物。
此外,图像传感器被用于各种用途,例如个人识别、缺陷分析、医疗诊断、安全领域等。在图像传感器中,根据用途适当地选择所使用的光源的波长。在图像传感器中,例如使用可见光、X射线等短波长的光、近红外光等长波长的光等各种波长的光。
除了显示装置,发光器件还有望应用于上述那样的图像传感器的光源。
[先行技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利申请公开第2007-137872号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明的一个方式的目的之一是提供一种发射近红外光且可见光发射不容易被看到的发光器件。本发明的一个方式的目的之一是提高发射近红外光的发光器件的发光效率。本发明的一个方式的目的之一是提高发射近红外光的发光器件的可靠性。
注意,这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述目的以外的目的。
解决技术问题的手段
本发明的一个方式是一种发光器件,该发光器件在发光层中包含发光性有机化合物及主体材料,发射光谱的最大峰值波长为750nm以上且900nm以下,亮度A[cd/m2]及辐射亮度B[W/sr/m2]满足0≤A/B≤1[cd·sr/W]。
本发明的一个方式是一种发光器件,该发光器件在发光层中包含发光性有机化合物及主体材料,发射光谱的最大峰值波长为750nm以上且900nm以下,亮度A[cd/m2]及辐射亮度B[W/sr/m2]满足0A/B≤1[cd·sr/W]。
主体材料中的HOMO能级和LUMO能级之差优选为1.35eV以上且2.25eV以下。
主体材料优选包含第一有机化合物及第二有机化合物。第一有机化合物的HOMO能级优选比第二有机化合物的HOMO能级高。第一有机化合物的HOMO能级和第二有机化合物的LUMO能级之差优选比发光性有机化合物的HOMO能级和LUMO能级之差小。第一有机化合物和第二有机化合物优选为形成激基复合物的物质。第一有机化合物的HOMO能级和第二有机化合物的LUMO能级之差优选为1.35eV以上且2.25eV以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的