[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

并列连接的绝缘栅极型的第一晶体管及绝缘栅极型的第二晶体管；

充放电部；以及

栅极电压补偿电路，

上述充放电部构成为进行以下控制：使上述第一晶体管的栅极及上述第二晶体管的栅极这两方充电的第一控制；使上述第一晶体管的栅极及上述第二晶体管的栅极这两方放电的第二控制；以及仅使上述第一晶体管的栅极及上述第二晶体管的栅极的单方放电的第三控制，

在上述第一控制时、上述第二控制时、以及将上述第一晶体管及上述第二晶体管强制性地断开的保护动作时的至少一个中，上述栅极电压补偿电路以消除上述第一晶体管的栅极电压与上述第二晶体管的栅极电压的差的方式，对上述第一晶体管及上述第二晶体管各自的栅极电压进行补偿。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在上述第一控制时、上述第二控制时、以及上述保护动作时，上述栅极电压补偿电路分别以消除上述第一晶体管的栅极电压与上述第二晶体管的栅极电压的差的方式，对上述第一晶体管及上述第二晶体管各自的栅极电压进行补偿。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述栅极电压补偿电路具备第一调整部，在上述第一控制时，该第一调整部根据上述第一晶体管的栅极电压与上述第二晶体管的栅极电压的差，来调整向上述第一晶体管的栅极流入的电流和向上述第二晶体管的栅极流入的电流的分配。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，

上述栅极电压补偿电路具备第二调整部，在上述第二控制时，该第二调整部根据上述第一晶体管的栅极电压与上述第二晶体管的栅极电压的差，来调整从上述第一晶体管的栅极导出的电流和从上述第二晶体管的栅极导出的电流的分配。

5.根据权利要求2～4任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

上述栅极电压补偿电路具备第三调整部，在上述保护动作时，该第三调整部根据上述第一晶体管的栅极电压与上述第二晶体管的栅极电压的差，来调整从上述第一晶体管的栅极导出的电流和从上述第二晶体管的栅极导出的电流的分配。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

上述第二调整部和上述第三调整部通用。

7.根据权利要求1～6任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一晶体管和上述第二晶体管形成为单一的栅极分割元件。

8.根据权利要求1～7任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一晶体管的通道区域以第一比例形成，上述第二晶体管的通道区域以与上述第一比例不同的第二比例形成。

9.根据权利要求1～8任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

有源钳位动作时的通道利用率超过零且小于通常动作时的通道利用率。

10.一种电子设备，其特征在于，具备：

权利要求1～9任一项中所述的半导体装置；以及

与上述半导体装置连接的感应性负载。