[发明专利]短路缓解装置

权利要求书

1.一种在具有电触点和电极的电解池中使用的短路缓解装置，所述装置包括：

与阻尼负载并联连接的、设置在触点和电极之间的开关，所述开关被配置为选择性地提供触点和电极之间的导电路径，其中所述开关包括并联连接的多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET；以及

开关控制器，可操作地与开关相关联，以监测通过开关的电流，并在电流超过第一阈值时产生将开关从导通闭合状态切换到非导通断开状态的切换信号。

2.如权利要求1所述的装置，还包括与MOSFET并联连接的故障保护路径。

3.如权利要求2所述的装置，其中所述故障安全路径包括电阻大于所述多个MOSFET在其闭合导通状态下的电阻的导体。

4.如前述权利要求中的任一项所述的装置，其中所述控制器还被配置为在至少第一操作模式和第二操作模式下操作，其中第一操作模式具有第一阈值并且第二操作模式具有第二阈值。

5.如前述权利要求中的任一项所述的装置，其中所述控制器被配置为当通过开关的电流超过第一阈值或第二阈值达预定时间段时产生切换信号。

6.如前述权利要求中的任一项所述的装置，其中所述控制器被配置为传输指示电流的数据。

7.如前述权利要求中的任一项所述的装置，其中所述控制器被配置为传输指示开关的状态的状态数据。

8.如前述权利要求中的任一项所述的装置，其中所述控制器被配置为响应于接收到的配置信号而采用操作模式。

9.如权利要求8所述的装置，其中所述配置信号是根据权利要求6的从第二装置的第二控制器接收到的状态数据。

10.如权利要求8所述的装置，其中所述配置信号是从电解池控制器接收的。

11.如权利要求10所述的装置，其中所述电解池控制器与多个控制器以双向方式通信并且响应于分别从所述多个控制器中的每个控制器接收到的状态数据而产生配置信号。

12.如前述权利要求中的任一项所述的装置，其中所述控制器被配置为在预定时间采用低功率状态，使得在低功率状态下，所述控制器不监测通过开关的电流。

13.如前述权利要求中的任一项所述的装置，其中所述控制器被配置为产生将开关从非导通断开状态切换到导通闭合状态的复位信号。

14.如前述权利要求中的任一项所述的装置，其中所述控制器被配置为控制通过开关的时间平均电流。

15.如权利要求14所述的装置，其中所述控制器被配置为通过循环地产生另外的信号以在断开时间段的非导通断开状态和闭合时间段的导通闭合状态之间切换开关来控制通过开关的时间平均电流，使得时间平均电流由相对的断开时间段和闭合时间段确定。

16.如前述权利要求中的任一项所述的装置，包括：

用于支撑电极的顶部触点；

放置在电触点上并且通过电绝缘层与顶部触点分开的底部触点；

其中开关的第一端与顶部触点电接触，并且开关的第二端与底部触点电接触，并且其中开关从顶部触点和底部触点移位。

17.如前述权利要求中的任一项所述的装置，其中所述电解池是电解提炼池或电解精炼池或电沉积池。

18.如前述权利要求中的任一项所述的装置，其中第一阈值电流是正常工作电流的预定的第一倍数。

19.如权利要求18所述的装置，其中预定的第一倍数是从1.5到3。