[发明专利]用于制备锕-225的系统和方法在审
申请号: | 202080042184.1 | 申请日: | 2020-04-06 |
公开(公告)号: | CN113939885A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 李·伯恩斯坦;乔恩·巴切尔德;乔纳森·T·莫雷尔;安德鲁·沃尔斯 | 申请(专利权)人: | 加利福尼亚大学董事会 |
主分类号: | G21G4/08 | 分类号: | G21G4/08;G21G1/02;G21G1/06;G21G1/10;H05H6/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 张兵兵 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制备 225 系统 方法 | ||
1.一种方法,包括:
(a)用氘核束照射靶以产生中子束;和
(b)用所述中子束照射镭-226靶以产生镭-225。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述镭-226通过(n,2n)反应而反应形成所述镭-225。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括:
允许至少一部分所述镭-225在一段时间内衰变为锕-225。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述镭-225通过β衰变衰变为锕-225。
5.根据权利要求3所述的方法,其中,所述一段时间为约15天。
6.根据权利要求3所述的方法,还包括:
将锕-225与未反应的镭-226和镭-225分离。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,在分离之后,所述锕-225不包括任何锕-227。
8.根据权利要求6所述的方法,其中,在分离之后,所述锕-225本质上由锕-225组成。
9.根据权利要求1所述的方法,其中照射所述镭-226靶发生在一段时间内,所述一段时间内为至少1天。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述靶是靠近所述镭-226靶布置的。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述靶位于距离所述镭-226靶约0.5毫米至10毫米处。
12.根据权利要求1所述的方法,其中,所述靶和所述镭-226靶不接触。
13.根据权利要求1所述的方法,其中,所述靶包括铍靶,且其中所述铍靶为约2毫米至8毫米厚。
14.根据权利要求1所述的方法,其中,所述镭-226靶为约1毫米至10毫米厚。
15.根据权利要求1所述的方法,其中,所述氘核束中的氘核的能量为约25MeV至55MeV。
16.根据利要求1的所述方法,其中,用所述中子束照射镭-226靶不产生任何锕-227或任何衰变为锕-227的物质。
17.根据权利要求1所述的方法,其中,使用回旋加速器产生所述氘核束。
18.根据权利要求1所述的方法,其中,所述中子束的通量为约1×10^10个中子/平方厘米/秒至3×10^12个中子/平方厘米/秒。
19.根据利要求1的方法,其中,所述中子束中的中子的能量为约10MeV或更高。
20.根据权利要求1所述的方法,其中,所述镭-226靶不位于核反应堆中。
21.根据权利要求1所述的方法,其中,所述中子不是在核反应堆中产生的热中子。
22.根据权利要求1所述的方法,其中,所述中子不是由散裂源产生的。
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