[发明专利]微机电系统结构及其应用在审
申请号: | 202080042578.7 | 申请日: | 2020-06-11 |
公开(公告)号: | CN113950350A | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 马克·A·韦伯;吕克·扬·布斯;阿鲁纳瓦·史蒂文·班纳吉 | 申请(专利权)人: | 梅科诺公司 |
主分类号: | A61M37/00 | 分类号: | A61M37/00;A61B5/053;A61B5/05 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李兰;孙志湧 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微机 系统 结构 及其 应用 | ||
1.一种器件,包括:
衬底平台;
基板,所述基板具有多个曲折臂,所述基板经由所述多个曲折臂附接到所述衬底平台,所述基板在静止位置处布置在平面上;以及
尖锐构件,所述尖锐构件设置在所述基板上,所述尖锐构件基本上垂直于所述平面设置,
其中,所述基板与所述衬底平台是共面的,并且
其中,所述基板被配置为离开所述静止位置在垂直于所述平面的方向上移动。
2.根据权利要求1所述的器件,其中,所述基板包括从所述基板向外延伸并且彼此径向均匀间隔地设置的两个曲折臂。
3.根据权利要求1所述的器件,其中,所述基板包括从所述基板向外延伸并且彼此径向均匀间隔地设置的三个曲折臂。
4.根据权利要求1所述的器件,其中,所述基板包括从所述基板向外延伸并且彼此径向均匀间隔地设置的四个曲折臂。
5.根据权利要求1所述的器件,其中,所述曲折臂具有所述基板与所述衬底平台之间的分隔距离的至少约2倍的线性长度。
6.根据权利要求1所述的器件,其中,所述曲折臂具有所述基板与所述衬底平台之间的分隔距离的至少约4倍的线性长度。
7.根据权利要求1所述的器件,其中,所述曲折臂具有所述基板与所述衬底平台之间的分隔距离的多达约1000倍的线性长度。
8.根据权利要求1所述的器件,其中,所述基板和所述衬底平台是同心的。
9.根据权利要求1所述的器件,其中,所述基板具有由圆盘、椭圆形、正方形、矩形、五边形或六边形组成的形状。
10.根据权利要求1所述的器件,其中,所述基板的横向尺寸在约100nm和约10cm之间。
11.根据权利要求1所述的器件,其中,所述基板的横向尺寸在约5μm和约500μm之间。
12.根据权利要求1所述的器件,其中,所述基板从所述静止位置移动达约0.1nm和约10mm之间的距离。
13.根据权利要求1所述的器件,其中,所述基板从所述静止位置移动达约1nm和约1mm之间的距离。
14.根据权利要求1所述的器件,其中,所述基板具有第一厚度并且所述衬底平台具有第二厚度。
15.根据权利要求14所述的器件,其中,所述第一厚度不同于所述第二厚度。
16.根据权利要求1所述的器件,其中,所述基板或所述衬底平台中的至少一个的厚度在约0.001μm和约10mm之间。
17.根据权利要求1所述的器件,其中,所述基板或所述衬底平台中的至少一个的厚度在约0.1μm和约10μm之间。
18.根据权利要求1所述的器件,其中,所述基板或所述衬底平台中的至少一个包括单晶硅、多晶硅、纳米晶硅、非晶硅或氢化非晶硅中的一种。
19.根据权利要求1所述的器件,其中,所述基板或所述衬底平台中的至少一个的掺杂浓度在约1010原子/cm3和约1021原子/cm3之间。
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