[发明专利]表面处理剂和表面处理体的制造方法在审
申请号: | 202080042729.9 | 申请日: | 2020-06-04 |
公开(公告)号: | CN114008538A | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 福井由季;奥村雄三;照井贵阳;公文创一 | 申请(专利权)人: | 中央硝子株式会社 |
主分类号: | G03F7/40 | 分类号: | G03F7/40 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 处理 制造 方法 | ||
1.一种表面处理剂,其为被处理物的表面处理中使用的表面处理剂,所述表面处理剂包含:
(I)下述通式[1]和[2]所示的硅化合物中的至少1种;
(II)下述通式[3]所示的含氮杂环化合物、下述通式[4]所示的含氮杂环化合物、及咪唑中的至少1种;
(III)有机溶剂;及
(IV)下述通式[5]和[6]所示的硅化合物中的至少1种,
(R1)a(H)bSi[N(R2)C(=O)R3]4-a-b [1]
式[1]中,R1各自独立地为一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳数为1~18的1价的烃基,R2各自独立地为选自由一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳数为1~6的烷基、及氢元素组成的组中的基团,R3各自独立地为一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳数为1~6的烷基,a为1~3的整数、b为0~2的整数,a和b的总计为1~3,
(R4)c(H)dSi[OC(R5)=NSi(R6)e(H)3-e]4-c-d [2]
式[2]中,R4和R6各自独立地为一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳数为1~18的1价的烃基,R5各自独立地为选自由一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳数为1~6的烷基、及氢元素组成的组中的基团,c为1~3的整数、d为0~2的整数、e为1~3的整数,c和d的总计为1~3,
式[3]中,R7和R8各自独立地为由氢元素与、碳元素和/或氮元素构成的2价的有机基团,碳数和氮数的总计为1~9,2以上的情况任选存在不构成环的碳元素,
式[4]中,R9是一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳数为1~6的烷基、具有一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳数为1~8的烷基的三烷基甲硅烷基、一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳数为2~6的烯基、一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳数为1~6的烷氧基、氨基、具有一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳数为1~6的烷基的烷基氨基、具有一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳数为1~6的烷基的二烷基氨基、一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳数为1~6的氨基烷基、硝基、氰基、苯基、苄基或卤素基团,R10、R11和R12各自独立地为一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳数为1~6的烷基、或氢原子,
(R13)f(H)gSi[OC(=O)R14]4-f-g [5]
式[5]中,R13各自独立地为一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳数为1~18的1价的烃基,R14各自独立地为一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳数为1~6的烷基,伪1~3的整数、g为0~2的整数,f和g的总计为1~3,
(R15)h(H)iSiX4-h-i [6]
式[6]中,R15各自独立地为一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳数为1~18的1价的烃基,x各自独立地为卤素基团、烷基磺酸盐基、或全氟烷基磺酸盐基,h为1~3的整数、i为0~2的整数,h和i的总计为1~3。
2.根据权利要求1所述的表面处理剂,其中,所述(IV)的含量相对于所述(I)的含量以摩尔比计为0.001以上且低于1。
3.根据权利要求1或2所述的表面处理剂,其中,作为所述(IV),含有所述通式[5]的f为3、R14为碳数1~6的含氟烷基的至少1种硅化合物。
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