[发明专利]用于电力电子的封装

权利要求书

1.一种用于电力电子的封装，包括：

电源基板；

在所述电源基板上的至少两个功率半导体晶片，所述至少两个功率半导体晶片中的每一个包括：

第一功率开关垫和第二功率开关垫；

控制垫；

半导体结构，所述半导体结构在所述第一功率开关垫、所述第二功率开关垫和所述控制垫之间，所述半导体结构被配置为使得在所述第一功率开关垫和所述第二功率开关垫之间的功率开关路径的电阻基于在所述控制垫处提供的控制信号；以及

开尔文连接垫，所述开尔文连接垫耦合到所述功率半导体晶片上的所述第二功率开关垫；以及

开尔文连接触点，所述开尔文连接触点经由所述电源基板上的开尔文导电迹线耦合到所述至少两个功率半导体晶片中的每一个的所述开尔文连接垫。

2.根据权利要求1所述的封装，其中：

所述至少两个功率半导体晶片中的每一个的所述开尔文连接垫经由一个或多个引线键合耦合到所述开尔文导电迹线；以及

所述开尔文导电迹线经由一个或多个引线键合耦合到所述开尔文连接触点。

3.根据权利要求1所述的封装，其中，所述至少两个功率半导体晶片中的每一个是功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)半导体晶片，使得：

所述第一功率开关垫耦合到所述半导体结构的漏极区；

所述第二功率开关垫和所述开尔文连接垫耦合到所述半导体结构的源极区；以及

所述控制垫耦合到所述半导体结构的栅极区。

4.根据权利要求1所述的封装，其中，所述至少两个功率半导体晶片中的每一个是功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)半导体晶片，使得：

所述第一功率开关垫耦合到所述半导体结构的集电极区；

所述第二功率开关垫和所述开尔文连接垫耦合到所述半导体结构的发射极区；以及

所述控制垫耦合到所述半导体结构的栅极区。

5.根据权利要求1所述的封装，其中：

所述电源基板为矩形；以及

所述开尔文导电迹线包括与所述电源基板的边缘不平行的至少一个边缘。

6.根据权利要求5所述的封装，其中：

所述至少两个功率半导体晶片中的每一个设置在所述电源基板上的功率开关导电迹线上；

所述功率开关导电迹线包括与所述电源基板的边缘不平行的至少一个边缘；以及

所述功率开关导电迹线的至少一个边缘平行于所述开尔文导电迹线的至少一个边缘。

7.根据权利要求1所述的封装，其中，所述至少两个功率半导体晶片中的每一个的所述第二功率开关垫耦合在一起。

8.根据权利要求7所述的封装，其中，所述至少两个功率半导体晶片中的每一个的所述第二功率开关垫经由一个或多个引线键合耦合。

9.根据权利要求7所述的封装，其中，所述至少两个功率半导体晶片中的每一个的所述第二功率开关垫经由引线框架接触结构耦合。

10.根据权利要求1所述的封装，进一步包括：

第一功率开关触点，所述第一功率开关触点耦合到所述至少两个功率半导体晶片中的每一个的所述第一功率开关垫；

第二功率开关触点，所述第二功率开关触点耦合到所述至少两个功率半导体晶片中的每一个的所述第二功率开关垫；以及

控制触点，所述控制触点耦合到所述至少两个功率半导体晶片中的每一个的所述控制垫。

11.根据权利要求10所述的封装，其中，所述第一功率开关触点、所述第二功率开关触点、所述控制触点和所述开尔文连接触点位于所述封装的同一侧。

12.根据权利要求11所述的封装，其中，所述封装是引线框架封装。