[发明专利]分离阶梯声波滤波器在审
申请号: | 202080044128.1 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN114008918A | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 肖恩·麦克休;格雷戈里·L·海伊-希普顿;加勒特·威廉姆斯 | 申请(专利权)人: | 谐振公司 |
主分类号: | H03H9/64 | 分类号: | H03H9/64;H03H9/72;H03H9/60 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 董科 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分离 阶梯 声波 滤波器 | ||
1.一种滤波器装置,包括:
一第一芯片,具有第一材料堆叠,所述第一芯片包含阶梯滤波器电路的一个或多个串联谐振器;和
一第二芯片,具有第二材料堆叠,所述第二芯片包含阶梯滤波器电路的一个或多个并联谐振器,
其中,所述第一材料堆叠和所述第二材料堆叠不同。
2.根据权利要求1所述的滤波器装置,其特征在于,
所述第一个芯片包含所述阶梯滤波器电路的所有串联谐振器,以及
所述第二个芯片包含所述阶梯滤波器电路的所有并联谐振器。
3.根据权利要求1所述的滤波器装置,其特征在于,
所述第一芯片和所述第二芯片附接到电路卡,该电路卡包括至少一个导体,用于在一个或多个串联谐振器的其中一个串联谐振器和一个或多个并联谐振器的其中一个并联谐振器之间进行电连接。
4.根据权利要求1所述的滤波器装置,其特征在于,
所述第一材料堆叠包括第一压电元件,
所述第二材料堆叠包括第二压电元件,以及
所述第一压电元件和所述第二压电元件在材料、厚度和材料的晶轴的取向中的至少一个方面不同。
5.根据权利要求1所述的滤波器装置,其特征在于,
所述一个或多个串联谐振器和所述一个或多个并联谐振器是非键合SAW(表面声波)谐振器,并且
所述第一材料堆叠和所述第二材料堆叠具有以下一个或多个方面的不同点:
所述压电板的材料,
所述压电板的厚度,
所述压电板晶轴的取向,
在所述压电板上方形成的导体图案的材料,
所述导体图案的厚度,
在所述导体图案上方形成的介电层的材料,以及
所述介电层的厚度。
6.根据权利要求1所述的滤波器装置,其特征在于,
所述一个或多个串联谐振器和所述一个或多个并联谐振器是键合晶片谐振器,并且
所述第一材料堆叠和所述第二材料堆叠具有以下一个或多个方面的不同点:
基座的材料,
所述基座的厚度,
所述基座与压电晶片之间的介电层材料,
所述基座和压电晶片之间的所述介电层的厚度,
所述压电晶片的材料,
所述压电晶片的厚度,
所述压电晶片晶轴的取向,
在所述压电晶片上方形成的导体图案的材料,
所述导体图案的厚度,
在所述导体图案上方形成的介电层的材料,以及
在所述导体图案上方形成的所述介电层的厚度。
7.根据权利要求1所述的滤波器装置,其特征在于,
所述一个或多个串联谐振器和所述一个或多个并联谐振器是浮动隔膜谐振器,并且
所述第一材料堆叠和所述第二材料堆叠具有以下一个或多个方面的不同点:
基座的材料,
所述基座的厚度,
所述基座与压电晶片之间的介电层材料,
所述基座和压电晶片之间的所述介电层的厚度,
所述压电晶片的材料,
所述压电晶片的厚度,
所述压电晶片晶轴的取向,
在所述压电晶片上方形成的导体图案的材料,
所述导体图案的厚度,
在所述导体图案上方形成的介电层的材料,以及
在所述导体图案上方形成的所述介电层的厚度。
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