[发明专利]被膜和其制造方法

权利要求书

1.一种被膜，是至少具有最表面的层M和与该层M相接的层K1的被膜，所述层M的密度为0.7g/cm³以上且小于1.0g/cm³，所述层K1的密度为1.0g/cm³以上且小于2.2g/cm³。

2.根据权利要求1所述的被膜，其中，所述层M具有聚二甲基硅氧烷骨架。

3.根据权利要求1或2所述的被膜，其中，所述层M具有三烷基甲硅烷基。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的被膜，其中，所述被膜进一步具有层K2，

所述层K2与所述层K1的与所述层M相反的一侧相接，

所述层K2的密度为1.1g/cm³以下，且小于所述层K1的密度。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的被膜，是具有聚二甲基硅氧烷骨架的被膜，除了使用纯水代替盐水以外，进行按照JIS Z2371的流水试验后的存在于被膜表面的硅烷醇基相对于被膜最表面的元素为5mol％以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的被膜，其中，所述层M与所述层K1的合计厚度为5nm～100nm。

7.一种层叠体，是在基材S上形成权利要求1～6中任一项所述的被膜而得的。

8.一种层叠体的制造方法，其特征在于，所述层叠体在基材S上形成有密度为1.0g/cm³以上且小于2.2g/cm³的层K1，并与该层K1相接地在最表面形成有密度为0.7g/cm³以上且小于1.0g/cm³的层M，

所述制造方法在所述基材S上涂布聚硅氮烷F的混合组合物q，在该混合组合物q的固化前或固化中，在所述混合组合物q的涂布面涂布有机硅化合物A、有机硅化合物B和水C的混合组合物p，所述有机硅化合物A具有至少1个三烷基甲硅烷基和1个以上的水解性硅基，所述有机硅化合物B在硅原子上键合有至少1个水解性基团，

使所述混合组合物q和所述混合组合物p固化，由所述混合组合物p的涂布层形成所述层M和层K1。